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随着人工智能技术的飞速发展，AI芯片正加速向高性能和大功率方向迈进，芯片电感作为核心组件，技术正面临着前所未有的高标准挑战。一体成型电感，作为绕线电感的升级版，是将线圈本体埋入软磁复合磁心内部模压成型的...
随着人工智能领域的不断发展，新型材料在高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件中的应用日益受到关注。金刚石禁带宽度达5eV，是当前单质半导体材料中带隙最宽的材料，同时具有高击穿电场、大饱和载流子速度、高载...
随着光电子信息技术的快速发展，对于电子元器件集成化、微型化的要求也在不断提高，特别是对于高性能光电薄膜的需求日益增长。钙钛矿结构光电薄膜，尤其是BaTiO₃（BTO，钛酸钡）薄膜，因其结构的特性可以对其掺杂改...
氮化铝（AlN）单晶衬底作为第四代半导体材料，凭借其独特的物理化学性质和优异性能，有望成为AI产业的关键推动力量。AlN具备高达6.2eV的禁带宽度、高击穿场强、高化学和热稳定性，以及高导热和抗辐射等特性，高质量...
半导体封装在芯片前道工艺技术节点改进有限的情况下，可以通过对芯片间的互连优化，使芯片系统尺度实现算力、功耗和集成度等性能指标方面的跃升，因此也被视为突破传统摩尔定律的一大关键技术方向。随着众多应用场景...
随着碳化硅（SiC）材料在半导体领域的应用越来越广泛，其加工工艺的重要性也日益凸显。作为一种具有优异性能的宽禁带半导体材料，SiC在高功率、高频率和高温环境中的应用前景广阔。然而，由于其极高的硬度和化学稳定...
化学机械抛光(CMP)技术是半导体晶片表面加工的关键技术之一,并用于集成电路制造过程的各阶段表面平整化,近年来得到广泛应用。在CMP过程中,抛光垫做为关键耗材之一，具有储存、运输抛光液、去除加工残余物质、传递机...
随着量子信息、人工智能等高新技术的飞速发展，半导体技术也在不断更新迭代。从第一代半导体硅(Si)和锗(Ge)，到第二代的砷化镓(GaAs)和锑化铟(InSb)，再到第三代的碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)，我们现在...
随着半导体技术的不断发展，对CMP抛光液的性能要求也越来越高，尤其是在制作高集成度、低功耗、高速度的芯片时，需要使用更安全、更稳定、更高效、更环保的CMP抛光液。相对于油和其他溶剂，水基抛光液采用水作为溶剂...
在近期的半导体市场中，一种关键材料——磷化铟（InP）的需求正在经历一场爆发，甚至美国晶圆制造商AXT公司近日还因磷化铟产品需求激增而股价暴涨，其股价在3个交易日内飙升了140%，引发了业界的广泛关注。而这一现象...
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2024/10/16