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随着芯片制程不断向先进节点演进，半导体设备对材料性能的要求也在持续提高。在刻蚀设备领域，一种变化正在悄然发生：长期广泛应用的氧化铝（Al2O3）材料，正逐步让位于氧化钇（Y2O3）材料。氧化钇陶瓷环这种升级并...
在芯片制造的化学气相沉积（CVD）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、原子层沉积（ALD）等薄膜沉积高温制程中，晶圆需在数百摄氏度的密闭腔体内保持极高的温度均匀性。微小的温度偏差会导致薄膜沉积厚度不均、应...
一枚芯片的诞生，需要历经数百道精密工序的层层打磨，光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入等核心制程环环相扣、容不得丝毫偏差。在这套精密的制造体系中，静电吸盘（ESC）贯穿芯片前道制造核心环节，它作为固定晶圆的非...
2026年上半年，高压平台成为新能源汽车行业的核心竞争焦点。比亚迪发布第二代刀片电池及兆瓦级闪充技术，创下“5分钟充电约400公里”的全球量产车最快充电纪录，随后汉EV闪充版正式上市并完成首批交付；理想推出搭载80...
半导体制造是一套高精度、高精密的微观加工体系，光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入等核心工艺，均在密闭真空腔体中完成，而透明视窗作为半导体设备腔体唯一的观察通道，可方便工程师在设备运行时实监测腔体内部的情况...
日常做饭时，旋转燃气灶的点火旋钮，听到清脆的“咔哒”声后便会燃起蓝色火焰；使用打火机时，轻轻按压就能产生电火花引燃燃气......这些习以为常的点火瞬间，背后都离不开压电材料的默默支撑，而钛酸钡（BaTiO₃）陶瓷...
随着集成电路制造技术向7nm及以下节点持续突破，传统的铜互连技术正面临越来越严峻的挑战。传统铜互连在特征尺寸不断缩小的过程中，面临着电阻率飙升、电迁移失效等瓶颈，而金属钴凭借优异的热稳定性、更低的电子平...
随着AI算力芯片、第三代射频器件持续向高功率、高热流密度方向迭代，半导体散热行业的竞争逻辑发生了本质转变。当前高端器件的主要失效原因，在很多场景下并非基础散热材料导热能力不足，而是层间界面热阻偏高、高低...
在半导体刻蚀、薄膜沉积、离子注入等核心工艺中，设备中的零部件必须在极端等离子体环境、高电压、强腐蚀性气体和频繁热循环下长期稳定工作。氧化铝、氮化铝、碳化硅、氮化硅等先进陶瓷材料凭借高硬度、高电阻率、优...
在国内半导体产业自主化进程全面提速的当下，关键零部件与核心材料的国产替代正从外围向核心环节纵深推进，化学气相沉积碳化硅（CVDSiC）凭借极致的理化性能，一跃成为半导体设备零部件领域国产化攻坚的重点赛道。长...
远光锆业：二十年专注锆钛，以全链条能力服务下游产业
龙亿装备：从非金属矿到新能源原料深加工之路
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2026/06/10
