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随着半导体、高端器械、航空航天等产业快速发展，精密部件对表面粗糙度的要求已达亚纳米甚至原子级。精密研磨抛光作为核心后道工艺，正经历材料与工艺的系统升级。加工对象日趋复杂，抛光磨料的评价标准也从去除效率...
碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体核心材料，应用前景广阔，但因其高硬度、强化学惰性，传统加工难以兼顾高效与低损伤，常规化学机械抛光（CMP）也因SiC表面氧化活性不足效率受限，现有芬顿改性CMP技术仍存在铁循环...
随着国内半导体产业加速向先进制程迭代，晶圆全局平坦化成为决定光刻精度与器件性能的重要环节，而化学机械抛光（CMP）作为实现这一目标的核心工艺，其核心耗材——硅溶胶磨料的纯度、粒径均一性及分散稳定性，直接决...
6月16日，森村集团旗下Noritake（诺里塔克）公司宣布，成功开发出一款可在玻璃基板研磨工艺中仅使用纯净水进行研磨的新型研磨垫“AQUCERIA”——这种研磨垫将氧化铈（CeO₂）磨料内置，大幅减少使用量，尤其为先进半导体...
随着第三代半导体、高端光电子、精密光学部件产业高速迭代升级，行业对精密加工工艺的精度、效率与稳定性提出了极致严苛的要求。以碳化硅（SiC）、蓝宝石、微晶玻璃为核心的硬脆材料，凭借超高硬度、优异耐高温性、...
聚氨酯材料兼具弹性、耐磨性、化学稳定性和微观表面适应能力，而这又是金属、橡胶、树脂或纤维材料都无法同时实现的，因而由其制备的抛光垫、抛光轮和抛光磨头等已经成为精密光学、半导体、精密模具和高端CNC加工中...
随着半导体集成电路5nm甚至2nm时代的到来，作为芯片制造“平坦化”关键环节的化学机械抛光(CMP)也迎来更严苛的挑战：在实现超高材料去除率（MRR）的同时，还要获得原子级光滑（Ra<0.2nm）、无缺陷的晶体表面。30nm...
在研磨抛光加工过程中，磨料和抛光材料的性能不仅取决于成分体系，更与粒度及粒形特征密切相关。无论是半导体晶圆、光学元件、精密陶瓷还是先进金属材料加工，颗粒尺寸的细微差异都可能直接影响材料去除效率、表面粗...
今日，2026年6月25日，由粉体圈主办的“CAC2026全国先进陶瓷论坛暨半导体用陶瓷专题论坛”在西安中建假日酒店(西安东站店)正式拉开帷幕，目前会务组工作人员已在酒店大堂签到处就位，如您晚于22:00抵达会议酒店，可提...
金相分析是材料科研与工业品控的核心基础手段，金相试样制备的优劣，直接影响显微组织观测结果的精准度与可信度。标准金相制样完整流程涵盖取样切割、冷/热镶嵌、粗精磨制、镜面抛光、组织浸蚀五大关键工序。当前国...
走进惠丰钻石，看金刚石微粉如何贯穿第三代半导体加工全流程
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2026/07/01