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在人工智能时代，电子器件正逐渐朝着小型化和高度集成化方向发展，设备运行速度的加快以及元器件的高度集成，使得散热成为当下阻碍电子技术发展的一大问题。传统的金属、陶瓷以及高分子材料等单一组分封装材料如今较...
随着信息技术的快速发展，人工智能、5G通信、激光雷达等领域提出了对高功率数据传输系统的需求。光子芯片作为具有高传输带宽、低延迟、低功耗、抗干扰等特点的新一代传输系统，在高功率、大容量的信息传输和信息处理...
随着人工智能技术的飞速发展，芯片性能提升成为推动行业进步的核心动力。在这些芯片背后，硅锗（SiGe）作为一种半导体材料，正在悄然发挥着越来越重要的作用。硅和锗同属IV族元素，锗位于硅的正下方，比硅多一个电子...
随着数据中心对于数据传输带宽与传输速率需求的持续提升，传统的铜缆电气连接已经无法满足高带宽、低延迟的需求。因此，光通信技术因其具备的高带宽、远距离传输能力、低功耗以及抗干扰性等优点，逐渐成为数据中心内...
人工智能时代的应用场景非常的复杂，对吸波材料的需求也将更加的个性化。碳化硅作为一种具有较低密度、高热导率、抗氧化性、抗腐蚀性的吸波材料，因其电导率和介电损耗较低，使得阻抗匹配性能难以满足现实需求，而阻...
在面向生成式AI的硬件中，需要通过电源线输送足够的电流到处理器，才能保障章程执行计算处理，但在实际工作中，电源供给速度通常难以跟上处理器需要的大电流，这给系统的稳定性和性能带来了挑战。因此，在处理器的电...
碳化硅（SiC）作为当前研发较为集中的第三代半导体材料，在电磁波吸收领域同样具有巨大的发展前景，它具有电阻率可调、抗热震性、密度小、热膨胀系数低、抗冲击性好等优点，在800℃以上的耐高温性能更是显著优于铁磁...
随着互联网、人工智能、云存储、云计算的快速发展，人们步入高度信息化时代，数据产生量呈指数级增长，据国际数据公司（IDC）测算，到2025年，全球将产生175ZB（1ZB=1012GB）的数据总量，其中约10%-15%的数据最终会...
以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料具有远大于Si和GaAs等第一、二代半导体材料的带隙宽度，且还具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射等优异特性，更加适应于电力电子、微波射频和光电子等高压...
冯诺依曼体系结构是现代计算机的基础。在该架构中，计算机的计算和存储功能分别由中央处理器和存储器独立完成，而它们之间的通信要通过总线来进行。随着AI极速发展，芯片算力呈爆发式增长，当执行这种以大数据为核心...
万里行|诺威特万剑波：抓住时代机遇，开发有机硅特色解决方案
万里行 | 理化联科：国产超低比表面积仪如何做到长期稳定性偏差＜1.0%？
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2024/09/23