12月11日，由北京大学东莞光电研究院、第三代半导体专利联盟、东莞燕园知识产权服务有限公司共同筹办的第三代半导体产业知识产权高峰论坛在东莞举行。广东省知识产权局副局长谢红表示，今后，广东省知识产权局将会聚焦包括第三代半导体产业在内的产业发展，不断加大产业企业知识产权保护力度，为产业链企业转型升级提供动力支持，努力支撑高新技术产业的创新发展。
近年，以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目，成为全球半导体研究的前沿和热点。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的导热率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
其技术及应用的突破成为全球半导体产业新的战略高地，包括中、美、日、欧、韩等发达国家在内的各国政府都纷纷加紧在该领域的部署。广东是中国专利第一大省，也是中国LED照明专利申请量大省。在推动LED产业发展过程中，广东提出了技术专利标准化的路径，有了标准才能快速地进入市场。这经验可以推广到第三代半导体产业乃至其它战略性新兴产业中。
粉体圈·郜白
参考来源：中国新闻网
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