2026年6月25-26日，由粉体圈平台主办的“CAC2026全国先进陶瓷论坛暨半导体用陶瓷专题论坛”在古城西安成功举办。论坛聚焦先进陶瓷在半导体制造领域的关键应用与技术突破，为推动产学研用深度融合、加速半导体关键陶瓷材料国产化替代搭建了高效的交流合作平台。活动得到了33家先进陶瓷产业链上下游企业的赞助支持，并有来自国内外科研院所专家、企业家代表200多名代表参加了论坛。

精彩回顾

6月25日晚，一场主题为 “半导体制程中先进陶瓷部件的国产替代” 圆桌论坛顺利开展，产业链专家、企业代表共同研讨产业国产化痛点。参会嘉宾普遍认为，当前国产化核心瓶颈集中在高端粉体、造粒工艺、精密加工等环节以及工序间的协同。对比日韩，国内粉体基础研究薄弱，粉体稳定性不足，批次波动大，造粒设备、半导体专用金刚石加工工具也海外存在明显差距。与会人员呼吁产学研协同攻关上游基础材料与工艺卡点，建立系统性、体系性的生产规范，同时完善产品验证渠道，合力推进半导体陶瓷全链条国产化。

6月26日，论坛正式进入技术交流环节，会议现场气氛热烈，吸引了200余位参会人员参与深入讨论。同时，33家企业在展示区内秀出了最新的先进陶瓷相关产品，包括粉体、生产设备、检测仪器等。

以下是本次论坛的精彩报告总结：

1、半导体设备中的陶瓷材料及部件  

报告人：齐龙浩 副教授

单位：清华大学

齐龙浩副教授首先介绍了国际国内知名半导体装备企业的基本情况，并围绕光刻机、刻蚀机、MOCVD、PECVD、LPCVD、封装设备等应用场景，分析了先进陶瓷器件结构特点与功能。随后，他对美国CoorsTek、日本京瓷、日本Toshiba、日本CeraTech等公司关于半导体用先进陶瓷产品的情况进行了介绍。最后，指出国产替代还有一定的路要走，尤其是静电卡盘等关键零部件目前尚不具备稳定进口替代能力。从原料上看，低温烧结工艺，高一致性粉体原仍是需要突破的重点。

2、半导体行业先进陶瓷与封装材料研发、缺陷及对策

报告人：周洪庆  教授、博士生导师

单位：南京工业大学宽频封装材料中心

周洪庆教授介绍了其所在研究平台关于宽频低损耗，低介电陶瓷等功能陶瓷的情况，以及在流延成型与致密化烧成的相关技术与实践。最后从配方组成、精细工艺、微观结构、性能测试等多方面提出制造高密度、高稳定、高性能半导体封装陶瓷的对策。

3、陶瓷塗层技术应用于半导体刻蚀制程之应用

报告人：陈立航   博士、教授

单位：上海大学

陈立航教授通过对半导体技术进程的需求角度，分析了耐刻蚀材料的发展历程，指出Y₂O₃ 陶瓷具有熔点高、带隙宽、热导率高等优点，同时兼具高临界击穿场强、高饱和漂移速度和优秀的耐腐蚀特性，是目前重要的刻蚀涂层材料，随后还介绍了钇基陶瓷涂层、三元复相陶瓷涂层在半导体领域的应用。

4、高精度高纯度碳化硅陶瓷材料在半导体装备应用进展

报告人：闫永杰  博士、总经理

单位：江苏三责新材料科技股份有限公司

闫永杰博士分析了碳化硅材料在半导体装备领域的应用特点与难点分析，指出高精度、高复杂度、高纯度是三个主要挑战。三责拥有大尺寸精密制造、CVD涂层技术、3D打印技术等核心技术，满足了半导体装备的应用场景，可提供碳化硅炉管、晶舟、悬臂桨等氧化扩散用卧式炉关键部件。

5、碳化钽陶瓷的制备及其在半导体装备中的应用

报告人：王存国 大中华及东南亚区域陶瓷业务负责人

单位：迈图技术（Momentive Technology）

王存国经理介绍了碳化钽涂层的特性，指出碳化钽比碳化硅涂层的具有更耐高温、耐腐蚀的特点。在碳化硅晶圆生长中，使用碳化钽涂层具有明显的优势，稳定的温场有效提升产品的良率。在外延生产中，碳化钽特层也可以减少氨气、和氢气的腐蚀，相比碳化硅涂层也具有明显优势，产品使用寿命更长。

6、多工艺协同：半导体陶瓷零件精密加工的提升

报告人：尚战亮 副总经理

单位：北京凝华科技有限公司

尚战亮副总经理指出，脆硬材料具有高硬度、高脆性、复杂结构等特点，精密加工过程中存在刀具磨损快、崩边与微裂纹、精度保持难、深孔/微孔加工难、加工成本偏高等问题。凝华根据客户需求可以提供CNC数控磨削、导电陶瓷放电切割、导电陶瓷放电成型、陶瓷激光雕刻等4平台协同设备与工艺，覆盖多类脆硬材料、复杂特性和高精度要求，在陶瓷静电卡盘（ESC）凸点阵列加工、碳化硅喷淋盘台阶孔批量精密加工、碳化硅聚焦环栅槽精密加工等都有典型的成功案例。

7、碳化硅晶体结构特点及其在半导体与陶瓷领域的应用

报告人：王晓刚 教授、博士生导师，材料学院原院长

单位：西安科技大学

王晓刚教授从α/β-SiC材料的发展历史说起，介绍了碳化硅在磨料、新能源、半导体、航空航天、复合材料、催化环保等领域的应用情况，以及国际碳化硅材料开发的最新进展。王教授同时指出，国内碳化硅陶瓷在半导体领域应用情况还存在跟风、仿造的低端竞争的情况，容易最终导致同质化荒漠。最后，王教授从碳化硅晶体结构角度，探讨了多晶碳化硅材料的本质，以SiC的基因结构研究思维探究其应用。

8、高性能反应烧结SiC陶瓷材料研究进展

报告人：王波 副教授、博士生导师

单位：西安交通大学

王波副教授介绍了反应烧结SiC陶瓷材料的性能特点，以及美国CoorsTek，日本京瓷、日本东芝，德国赛浪泰克等公司的相关产品现状。随后，他详细介绍了西安交通大学在反应烧结 SiC 方向取得的新工艺与新产品成果，涵盖低残硅反应烧结碳化硅、高力学强度反应烧结 SiC、固相烧结 SiC 陶瓷体系等，同时对比说明了各项产品对标进口的进展。

9、连续氧化铝纤维增强氧化铝基复合材料及其关键基体材料技术进展

报告人：施利毅 教授、博士生导师

单位：上海大学

施利毅教授首先分析了全球连续氧化铝纤维的发展状况，对相关公司和产品进行了介绍。随后对连续纤维制备的关键基体材料进行了分类介绍，比较了纯Al₂O₃基体、莫来石基体、ZTA基体制备出材料的特点，最后指出粉体原料对浆料制备有着重要影响，最终会影响产品的应用性能。

10、先进半导体制程用多晶碳化硅部件的工业化生产与产业挑战

报告人：张千策 博士、研发总监

单位：山东国晶新材料有限公司

张千策博士介绍了MOVCD载盘、基座、外延盘等先进半导体制程用多晶碳化硅部件在实际应用场景以及要求，以及晶圆舟、刻蚀环、聚焦环、边缘环、上接地环、SIC喷淋头等产品设计及应用，系统剖析了多晶碳化硅部件制备的技术卡点，如炉子的温场、石墨的基体要求、涂层工艺与性能等，最后也指出了国产多晶碳化硅部件的发展困境。

11、激光粒度仪在半导体陶瓷材料粒度测量中的应用及注意事项

报告人：张福根 博士、董事长

单位：珠海真理光学仪器有限公司

张福根博士作为资深的激光粒度仪的研发专家，犀利指出激光粒度仪测试性能局限性，指出测试盲区的不可避免，真理光学的斜置测试窗口有效减小了测试盲区，提高了测试的准确性。同时，采取有效措施解决了爱里斑反常变化导致测试结果失真的问题，指出市场上粒度仪多模型测试不合理的问题，国外品牌采用通用模式无法测试准确标准物质的尴尬，而真理光学实现了统一测试模式，实测结果显著超过国外品牌。

12、从传统建材到先进陶瓷加工：金刚石工具的差异化要求与技术进展

报告人：周浩钧 博士、研发中心主任

单位：广东奔朗新材料股份有限公司

周浩钧博士围绕从建材加工到半导体领域应用场景，如晶棒裁剪/切片、晶圆倒角、晶圆减薄与抛光等核心工序应用场景，对金刚石刀具进行了介绍。同时，他从材料特性、加工要求、加工方式、对工具要求等方面，对比了半导体加工和建材加工的差异性。奔朗新材针对半导体高端加工需求，从金刚石磨料、结合剂、空隙等角度创新开发，大幅提升金刚石刀具的综合性能。

13、高纯SiC喷淋头制备报告

报告人：李华坚 总经理

单位：兰溪泛翌精细陶瓷有限公司

李华坚总经理从粉体制备、成型、脱胶、烧成、检验和加工等工序介绍了高纯碳化硅陶瓷的制备粉体烧结工艺，并对其关键控制点进行了分析，他认为，化学气相沉积工艺（CVD-SiC）具有广泛的应用前景。随后他对陶瓷喷淋头加工工艺流程进行介绍，指出钻孔技术加工是关键。最后李总强调，业内应该把握2026–2028年产品认证窗口，争取将SiC 喷淋头国产化率从当前不足10%提升至 30%。

14、超高纯碳化硅微粉制程管控及在半导体领域应用特点

报告人：李季 联合创始人、博士、副研究员

单位：绍兴晶彩科技有限公司、哈尔滨工业大学

李季博士介绍了绍兴晶彩独特的超高纯碳化硅粉体制备方法：聚合物热解法与优化固相烧结法相结合。绍兴晶彩可以根据客户的实际需求不同，灵活提供对应型号的产品（4N-6N纯度的α/β相碳化硅粉体），并依托对微粉制程管控充分适配碳化硅长晶、结构陶瓷、热管理器件等多领域的高端应用要求。

15、氮化硅天线罩的制作及研发

报告人：管晶 博士

单位：西北工业大学

管晶博士指出Si₃N₄陶瓷热稳定性高达1800℃，具有优异的抗热震性、力学性能、耐化学腐蚀和冲蚀性，但很难做出壁厚超过5mm的天线窗。氧氮化硅陶瓷由于氧原子的引入，成键形式介于Si₃N₄与SiO₂之间，生成晶态氮氧化硅（Si₂N₂O），其透波性能优于氮化硅，抗氧化性优于其他氮化物陶瓷。接着，管博士进一步探讨了烧结工艺对氧氮化硅陶瓷室温/高温介电性能的影响，以及氧氮化硅陶瓷的力学性能。

16、泛半导体制造用高精密氧化铝陶瓷零部件与相关粉体原料

报告人：孟姗姗 高工、项目经理

单位：山东硅元新型材料股份有限公司

孟姗姗高工分析指出，美、日、荷高度垄断半导体装备，前5名企业占全球总营收85%，北方华创是前十中唯一中国企业。在泛半导体装备用先进陶瓷市场，日本占有50%以上市场份额，国内企业依然处于追赶阶段，国产化率不超过10%。她指出，泛半导体装备用氧化铝陶瓷核心指标要求氧化铝纯度≥99瓷，高纯氧化铝陶瓷一般指99.5以上。而在氧化铝造粒粉方面，日本10万元/吨左右，国产1-2万元/吨。说明国产造粒粉体仍有很大的进步空间，而硅元为了自主可控与成本优势，自主研发99.8%高纯氧化铝陶瓷造粒粉，并开发出研磨盘、载盘、陶瓷环、陶瓷板槽、陶瓷滑轨等产品。

17、新东先进陶瓷“3D打印+超精密加工”打通半导体陶瓷产业化

报告人：聂品旭 中国区销售及业务拓展经理

单位：新东先进陶瓷欧洲有限公司

聂品旭经理首先介绍了新东先进陶瓷的核心加工工艺与产能极限参数：3D打印工艺可实现最大600×600×300mm的成型尺寸，最小壁厚可达90μm、最小孔径可达100μm；真空浇筑工艺可制备超长超大尺寸陶瓷结构件，产品最大长度达4m、最大宽度1.2m、最大厚度50mm；超精磨床加工精度可以小于1μm。目前，新东的3D打印产品已经可以用于半导体装备中陶瓷气体注入器、陶瓷晶圆加热盘等领域。

小结

在此，衷心感谢各位专家、企业家的精彩分享与所有参会人员、单位的大力支持，期待行业同仁凝心聚力持续推进半导体先进陶瓷国产化进程。

CAC西安先进陶瓷论坛会务组