随着集成电路制造不断向先进制程发展，晶圆表面平坦化精度要求持续提高。作为芯片制造中的关键工艺，化学机械平坦化（CMP）已成为实现多层互连和高密度集成的重要技术，而CMP磨料则是决定加工效果的重要材料之一，其中又以超高纯二氧化硅极为关键。

二氧化硅抛光液

超高纯二氧化硅磨料的制备及应用，使CMP能够精确控制材料去除速率和选择比，在多层互连结构（如铜布线、钨栓塞、介质层）中实现原子级的全局平坦化，消除前步工艺遗留的台阶高度，为后续光刻和薄膜沉积创造平坦化平面，是集成电路持续微缩和高密度集成的关键磨料，其性能直接决定了芯片制造的良率与可靠性。

围绕这一关键材料及其制备应用技术，在即将于7月15-16日举办的“2026年全国精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛（第四届）”上，河北工业大学副研究员何彦刚将带来《集成电路CMP专用超高纯二氧化硅磨料的制备及应用》专题报告，围绕CMP专用超高纯二氧化硅磨料的制备技术、应用现状及未来发展进行分享。

报告将重点介绍集成电路CMP专用超高纯二氧化硅磨料的制备及应用，并对相关技术发展进行展望。报告内容包括材料的化学机械平坦化、化学机械平坦化对磨料的要求、超高纯二氧化硅磨料的制备、超高纯二氧化硅磨料的应用等内容，同时介绍平台团队的相关研究工作。

随着先进制程持续演进，CMP对磨料纯度、粒径分布、分散稳定性等性能提出了更高要求。围绕超高纯二氧化硅磨料这一关键材料，本次报告将结合其制备技术与应用实践，探讨相关技术的发展趋势，为CMP磨料研发及半导体制造领域的企业、科研院所提供参考。感兴趣的朋友，欢迎了解会议详情及报名！

关于报告人

何彦刚，河北工业大学，电子信息工程学院，博士，副研究员。主持或参加多项国家、省部级科研及人才计划项目，曾参与两期化学机械抛光液领域的国家02科技重大专项，在化学机械超精密加工、胶体与界面化学等领域有较深入研究。曾发表学术论文80余篇，授权专利30余件，获河北省技术发明二等奖。

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