超200亿投资,长飞先进半导体武汉基地开工

发布时间 | 2023-09-05 18:18 分类 | 企业动态 点击量 | 566
碳化硅
导读:9月1日,长飞先进半导体武汉基地开工仪式在湖北武汉光谷科学岛圆满举行。

9月1日,长飞先进半导体武汉基地开工仪式在湖北武汉光谷科学岛圆满举行。


据了解,长飞先进半导体武汉基地位于湖北武汉光谷科学岛,项目总投资预计超过200亿元。其中,项目一期总投资100亿元,可年产36万片SiC MOSFET晶圆,包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。一期项目预计2025年建设完成,届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地,公司产能规模将居行业绝对领先地位。

长飞先进表示,在碳化硅行业,“产能为王”一直是行业关键词,尤其是随着800V新能源汽车的推出,2025年碳化硅市场将迎来全面爆发。为此,长飞先进于2022年重组就已经开始前瞻性规划武汉基地的建设,并于今日迎来正式开工。武汉基地的顺利开工,标志着公司在第三代半导体领域迈出了重要一步。

安徽长飞先进半导体有限公司成立于2018年,注册资本14,963.6604万元,专注于碳化硅功率半导体产品研发及制造,拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统,具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。

 

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作者:粉体圈

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