博来纳润张泽芳:高纯度硅溶胶的制备及其在半导体CMP中的应用(报告)

发布时间 | 2026-07-01 17:38 分类 | 行业要闻 点击量 | 7
论坛 磨料
导读:2026年7月15–16日,于江苏无锡举办的2026年精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛(第四届)上,博来纳润董事长兼创始人张泽芳先生将现场分享报告《高纯度硅溶胶的制备及其在半导体CMP中的应用》...

随着国内半导体产业加速向先进制程迭代,晶圆全局平坦化成为决定光刻精度与器件性能的重要环节,而化学机械抛光(CMP)作为实现这一目标的核心工艺,其核心耗材——硅溶胶磨料的纯度、粒径均一性及分散稳定性,直接决定了抛光后晶圆的表面平整度与缺陷水平。

长期以来,高端半导体CMP领域的高纯硅溶胶市场被海外品牌垄断,进口产品不仅售价高昂、供货周期不稳定,且核心技术迭代优先适配海外头部晶圆厂商,国内企业难以获得配套化的技术支撑,成为制约我国半导体耗材自主可控的核心卡点。

与此同时,国内量产的常规硅溶胶产品普遍存在金属杂质含量偏高、颗粒粒径均一性差、分散稳定性不足等诸多痛点,如果将传统普通硅溶胶应用于高端晶圆CMP抛光工艺中,极易引发晶圆表面划痕、麻点、局部腐蚀、平整度不达标等缺陷,完全无法适配当下高端半导体制造的工艺标准与量产需求。因此,研发可稳定量产、高性能、超高纯的国产硅溶胶,打破进口依赖,已然成为整个半导体抛光材料行业迫在眉睫的攻坚课题。

立足行业痛点与产业刚需,浙江博来纳润电子材料深耕半导体高端电子材料领域,聚焦CMP高纯硅溶胶“高纯度、高均一性、高稳定性”等核心技术难题,双工艺路线协同突破国产化技术瓶颈:既可利用传统的离子交换法,稳定制备总金属杂质含量低于20ppm的超高纯硅溶胶,成品颗粒形貌规整、稳定性优异,同时又兼顾溶胶-凝胶法,制备出超高纯硅溶胶,各项性能指标均可满足半导体CMP需求,为高纯抛光磨料国产化提供有效技术方案。

博来纳润高纯及超纯硅溶胶参数

博来纳润高纯及超纯硅溶胶参数

2026年7月15–16日,于江苏无锡举办的2026年精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛(第四届)上,博来纳润董事长兼创始人张泽芳先生将现场分享报告《高纯度硅溶胶的制备及其在半导体CMP中的应用》,深度拆解超高纯硅溶胶的工艺优化逻辑、核心技术优势及半导体CMP场景落地价值,更多工艺细节、场景应用实测成果、国产化落地思路,欢迎报名参会到会议现场了解哦!

报告人信息


张泽芳,中科院上海微系统与信息技术研究所博士,复旦大学博士后,浙江博来纳润电子材料有限公司董事长,上海工程技术大学微纳制造先进材料研究中心副主任。入选上海市东方英才青年项目、上海产业菁英高层次人才、山西省青年拔尖人才。主持并参与国家重点研发计划、国家自然科学基金、产业链攻关专项等国家级、省部级项目 10 余项,发表学术论文 20 余篇,授权发明专利 10 余项。长期专注半导体 CMP 关键材料研发与产业化,带领团队攻克电子级硅溶胶、抛光液、抛光垫等核心技术瓶颈,构建“磨料+抛光液+抛光垫”完整产品矩阵,建成规模化生产基地。相关产品性能达到国际先进水平,成功进入国内头部客户供应链,有力推动CMP材料国产化替代,为我国集成电路产业基础能力提升与供应链安全提供重要支撑。

 

无锡精密研磨抛光论坛开会务组

作者:粉体圈

总阅读量:7