碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体核心材料，应用前景广阔，但因其高硬度、强化学惰性，传统加工难以兼顾高效与低损伤，常规化学机械抛光（CMP）也因SiC表面氧化活性不足效率受限，现有芬顿改性CMP技术仍存在铁循环不稳定、活性氧供给不足等缺陷。

7月15–16日，在江苏·无锡举办“2026年全国精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛（第四届）”上，江南大学机械工程学院倪自丰副教授将作题为“压电功能磨粒的制备及其化学机械抛光性能研究”的报告，内容主要分享最新研究成果——引入兼具压电响应与催化活性的BiFeO₃磨粒，构建压电-类芬顿协同抛光新方法，依托压电效应强化电荷分离与铁循环，提升活性氧生成效率，协同优化SiC抛光效率与表面质量。机理实验证实，BiFeO₃可通过压电效应加速类芬顿反应、提升羟基自由基生成量，协同体系相较单一体系氧化活性与抛光效果显著提升，实现了SiC晶片抛光性能的双重优化。

倪自丰副教授这份报告能够为业界科研工作者提供优化方向与机理验证依据；为相关项目投资和运营方指引高效低损工艺路径。您如果是业内人士或者关注碳化硅半导体产业，报告核心价值直接关联企业降低制造成本、提高器件良率与可靠性，一定不要错过。

报告人简介

倪自丰：江南大学机械工程学院副教授/硕士生导师。本科和硕士毕业于中国矿业大学材料科学与工程学院，博士毕业于中国矿业大学机电工程学院，美国克拉克森大学访问学者，师从CMP领域国际知名专家S.V. Babu教授，主要从事第三代半导体晶圆衬底的高效超精密抛光加工工艺及机理研究。现任中国稀土学会第七届稀土原子级制造技术专业委员会委员、中国机械工程学会高级会员、无锡市半导体行业协会高级顾问。担任Applied Surface Science、Tribology Letters、摩擦学学报等期刊审稿人。主持及参与相关国家级课题4项，省部级课题4项，发表学术论文八十余篇，其中SCI收录三十余篇，授权发明专利5项，荣获江苏省科学技术二等奖和中国商业联合会科学技术二等奖。

抛光论坛会务组