6月26日，长飞光纤发布公告称，旗下子公司安徽长飞先进半导体有限公司（以下简称“长飞先进半导体”）拟投资人民币60亿元（包括36 亿元的股权融资及24 亿元的银行贷款）在湖北省武汉市东湖新技术开发区建设第三代半导体功率器件生产项目。

该项目建设内容包括第三代半导体外延、晶圆制造、封测等产线，建设完毕后将形成年产 36 万片 6 英寸碳化硅晶圆及外延、年产 6100 万个功率器件模块的能力，达产后预计年产值约人民币 53 亿元。该项目建设同期，长飞先进半导体还将建设第三代半导体科技创新中心，用于跟进第三代半导体国际前沿技术并开发第三代半导体器件先进工艺。

长飞先进半导体表示，目前，国内新能源汽车的市场持续快速发展，主要厂商对国内供应商的需求不断释放。本次增资旨在进行与客户需求相匹配的产能扩充，及加速下一代产品研发。本次增资的资金，将主要投入第三代半导体功率器件生产项目，有助于长飞先进半导体的业务拓展。

安徽长飞先进半导体有限公司是长飞光纤在第三代半导体领域深度布局的重要举措，也是长飞光纤近年来成功实施多元化战略及战略转型的代表体现。自2018年1月成立以来，长飞先进半导体专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。可年产6万片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圆、640万只功率模块、1800万只功率单管。

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