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以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料相较前两代半导体材料，具有宽禁带、高导热率、高击穿电场、高电子饱和漂移速率等物理特性，并且化学性能稳定，有很强的耐腐蚀性，因而在核能、军工、航空航天等领域被广泛...
先进集成电路芯片是当代科技发展的核心驱动力，代表着国家科技发展的最高水平。而化学机械抛光（CMP）技术是集成电路芯片制造的核心工艺之一，它通过化学和机械作用相结合的方式，实现芯片表面的精确平整化处理，其...
8月19日，韩国商业门户businesskorea披露，由韩国SKOn、EcoProBM与美国福特汽车公司三家合作在加拿大魁北克建设的正极材料项目进展不顺，在继今年4月以来首次停工后又于本月5号次停工。业界对此有看法表示，此次停产...
2024年8月25-26日，粉体圈将在江苏无锡举办“2024年全国精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛（第二届）”，届时将聚集上下游单位研发负责人、科研院校技术专家以及相关产业的投资机构，共同探讨精密研磨抛光领域的发展...
化学机械抛光（ChemicalMechanicalPolishing，CMP）技术是超大规模集成电路制造工艺中的关键技术之一，能实现集成电路（IC）制造中晶圆表面全局平坦化，使其达到原子级超高平整度。在CMP工序中，抛光液是影响抛光效...
化学抛光技术广泛应用于集成电路和超大规模集成电路中对基体材料硅晶片的抛光，是半导体晶圆制造的必备流程之一，对高精度、高性能晶圆制造至关重要。而在决定CMP最终效果的各项因素中，抛光液是关键中的关键。CMP抛...
8月15日，苏州珂玛材料科技股份有限公司（珂玛科技）发布提示性公告，公司首次公开发行股票并在深交所创业板上市。用于泛半导体产业的高纯陶瓷部件（珂玛科技）珂玛科技成立于2009年，是一家拥有完全自主知识产权的...
在半导体制造过程中，为了实现晶圆表面的平滑和均匀，CMP工艺发挥着至关重要的作用。CMP抛光液利用物理研磨和化学腐蚀双重作用，先与晶圆表面发生化学反应生成一层软化层，然后用浆料磨料和抛光垫去除氧化层，从而实...
“聚焦日本”是日本政府公共关系办公室开办的宣传栏目，旨在向全球介绍日本针对各种全球问题提出的尖端解决方案。该栏目在7月向业界推荐了TDC公司——该公司拥有能够对任何材料、任何形状进行1纳米以下精密抛光的技术，...
随着半导体电子制造业的飞速发展，电子器件出现特征尺寸减小、互连线层数增多的特点，这就对晶圆衬底的表面平整度提出了更高的要求，化学机械抛光（CMP）是目前唯一能够实现晶圆全局平坦化的超精密加工技术。为了满...
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2024/08/22