引言：4月20日的国家发改委新闻发布会上，官方首次明确了“新基建”的范围，这包括信息基础设施、融合基础设施、创新基础设施三个方面。“新基建”是与传统的“铁公基”相对应，结合新一轮科技革命和产业变革特征，面向国家战略需求，为经济社会的创新、协调、绿色、开放、共享发展提供底层支撑的具有乘数效应的战略性、网络型基础设施。新基建正如火如荼进行，在新基建的快速前进的步伐中，热点材料第三代半导体的看点有什么，本文将简单分析。

“新基建”包括5G基建、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能、工业互联网等七大领域。可知“新基建”众多产业的建设都与半导体技术的发展息息相关，尤其是第三代半导体在“新基建”下将迎来重大的机遇。

例如：以第三代半导体氮化镓(GaN)为核心的射频半导体，支撑着5G基站及工业互联网系统的建设；以碳化硅(SiC)以及IGBT为核心的功率半导体，支撑着新能源汽车、充电桩、基站/数据中心电源、特高压以及轨道交通系统的建设；不难看出，氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为首的第三代半导体是支持“新基建”的核心材料。在“新基建”与国产替代的加持下，与第三代半导体相关产业链或将迎来大口享用“新基建”红利的机遇。

从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是SiC和GaN，而ZnO、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。

关于第三代半导体碳化硅(SiC)：

碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗，因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。

图：SiC：没啥好好吹的，我就是功率器件一哥

关于第三代半导体氮化镓(GaN)：

氮化镓具有高的电离度，出色的击穿能力、更高的电子密度和电子速度以及更高的工作温度，且具有低导通损耗、高电流密度等优势。通常用于微波射频、电力电子、光电子三大领域。微波射频包含了5G通信、雷达预警、卫星通讯等应用；电力电子方向包括了智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子等应用；光电子方向包括了LED、激光器、光电探测器等应用。

附表：新基建建设内容与目标

表格来源：赛迪智库电子所，《“新基建”发展白皮书》

粉体圈 编辑 Focus