纯度最高达8N8,中宜创芯碳化硅半导体粉体打破业界记录

发布时间 | 2025-07-09 09:24 分类 | 企业动态 点击量 | 14
碳化硅
导读:据中国化工报7月8日报道,平煤神马集团旗下中宜创芯公司于近日成功将碳化硅半导体粉体纯度突破8N,最高达到8N8(99.9999998%),实现高端半导体材料领域重大突破。

据中国化工报7月8日报道,平煤神马集团旗下中宜创芯公司于近日成功将碳化硅半导体粉体纯度突破8N,最高达到8N8(99.9999998%),实现高端半导体材料领域重大突破。


突破并非一蹴而就。2021年,平煤神马集团投资7000万元,启动碳化硅基半导体材料示范线开发项目,主要研发生产第三代半导体碳化硅粉体和碳化硅衬底材料,打造千亿级芯片材料产业“试验田”。该项目上游利用煤、焦炉煤气制备高纯氢、针状焦、电子硅、区熔硅等原料优势,下游对接储能锂电和光伏等产业,能快速形成全国乃至世界领先的“煤—氢气—针状焦—高纯硅烷—碳化硅—碳化硅半导体—储能锂电和光伏”高品质产业链,为河南打造国家创新高地提供更加有力的产业支撑。

2023年1月,6N5碳化硅高纯粉体成功下线;同年5月,由中国平煤神马控股集团和平顶山发展投资集团合资设立的河南中宜创芯发展有限公司成立,计划投资20亿元,分期建设年产2000吨碳化硅半导体粉体项目。项目一期500吨生线于2023年6月20日开工建设,并于9月30日产品成功下线,创同类行业建设和投产的最快速度。2024年3月30日,一期生产线达产产品纯度最高达到7N8,已在国内三十多家企业和科研机构开展试用和验证。为实现纯度的再次突破,2024年12月以来,中宜创芯的技术团队引进国内行业首台新型无污染碎料装置,并采用先进的粉体合成炉和自动化无污染破碎技术,不断优化研发流程,不仅将碳化硅粉体纯度提升至8N8,还将正品率由55%增至85%,彻底攻破“卡脖子”难题。

 

粉体圈 整理

作者:粉体圈

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