近日，日本JX金属株式会社宣布，为了应对面向下一代半导体CVD（化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）工艺对应材料需求极速攀升，将继续加强推进重要的钼化合物产能扩大以保障供应。
JX金属钼化合物特写
AI产业快速发展，数据中心和搭载AI的物联网设备市场扩大，高性能半导体是支撑相关设备的关键硬件，其微细化和多层化是目前实现高集成度的主要途径，而CVD、ALD薄膜需求便随之上升。2024年2月，JX金属已看到产业趋势并就此设立部门，致力于实现相关材料的商业化，JX金属于是新建了高纯度CVD和ALD材料的量产线，并为客户提供样品，获得好评（通过验证）后，也做出了增强产能的决定。当年11月，JX金属宣布已在德国生产基地启动这些材料前驱体的生产。同时，也宣布将在日本本土进行扩产。
关于钼化合物，相比传统钨前驱体材料的优势主要体现在原子级镀膜中实现低电阻、零污染、高填充三位一体性能，支撑AI芯片与3D存储的微缩化演进。JX金属表示，目前本土的茅崎工厂新建了生产线，已满负荷运转，同时茨城工厂也在加装设备，为未来需求做准备，结合之前德国生产基地产能，已初步达成量产高纯度钼化合物等"芯片镀膜原料"的目标，助力AI芯片突破技术瓶颈。
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