俄中澳日四国研发氮化硼新型半导体材料:厚度仅一个分子

发布时间 | 2017-08-22 16:10 分类 | 技术前沿 点击量 | 3676
氮化硼
导读:早前,据俄媒报道,莫斯科钢铁冶金学院(NUST MISIS)的科学家与北京交通大学、澳大利亚昆士兰科技大学以及日本国立材料科学研究所的同事们一起开发出一项技术,制成厚度为一个分子的氮化硼新型半...

早前,据俄媒报道,莫斯科钢铁冶金学院(NUST MISIS)的科学家与北京交通大学、澳大利亚昆士兰科技大学以及日本国立材料科学研究所的同事们一起开发出一项技术,制成厚度为一个分子的氮化硼新型半导体材料。这项发现可用于制造纳米处理器,它是现有处理器的千分之一。

 

据研究人员表示,它将更省电,从而使电池微型化,将出现大批“看不见”的电子产品:极轻的心脏起搏器,便宜的VR眼镜,耳环型手机和其他可穿戴设备,这些设备目前要么昂贵,要么根本无法制造。

 

 

 

此项研究的合作者之一,NUST MISIS“纳米无机材料”实验室主要研究员帕维尔·索罗金表示,新技术可应用于各个领域。俄媒援引他的话称:“我们的发现可使这一材料在诸如光伏、光电,能量储存等科学和技术领域得到积极运用”。

 

NUST MISIS电子学、自旋电子学和光子学中的纳米技术应用研究所副教授阿列克谢·格列霍夫表示:“这种材料的应用领域多样——从电子设备、传感器到生物相容性结构材料。在电子学方面,可以使耗电量得到降低,性能得到增强和紧凑性得到增加,前景显而易见。然而,达到这一材料的实际应用,还需要走很多路。”

 

参考来源:俄罗斯卫星通讯社


作者:粉体圈

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