7月8日美通社报道，美国HexaTech公司宣布推出优化版本氮极性氮化铝（N-polar AlN）衬底——相比传统的铝极性（Al-polar）外延生长，氮极性面有望带来显著的性能提升。此项全新氮极性工艺可应用于HexaTech所有标准2英寸直径衬底产品。
作为超宽禁带半导体材料，单晶氮化铝衬底在光电领域优势显著，基于其进行高功率半导体器件开发，在深紫外LED消毒、高效电力转换开关，以及卫星通信射频组件等领域应用极具优势。Hexatech公司透露，这项N极过程技术已经开发了一年多，可以直接按直径和体积扩展，并且很好地与HexaTech之前宣布的100毫米扩展计划相契合，该计划部分得到了美国国防部DARPA UWBGS计划的支持。
铝极性更稳定，但电子移动受限，因此更适用于常规器件。N极性晶体生长难度更高，须解决表面氧化和缺陷等问题，但导热更好，绝缘性更好，高频性能更好。作为全球领先的单晶物理气相传输（PVT）生长的氮化铝（AlN）衬底商业供应商，HexaTech再次推动前沿产品能力，以满足客户的需要。
编译整理 YUXI
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