7月8日美通社报道,美国HexaTech公司宣布推出优化版本氮极性氮化铝(N-polar AlN)衬底——相比传统的铝极性(Al-polar)外延生长,氮极性面有望带来显著的性能提升。此项全新氮极性工艺可应用于HexaTech所有标准2英寸直径衬底产品。
作为超宽禁带半导体材料,单晶氮化铝衬底在光电领域优势显著,基于其进行高功率半导体器件开发,在深紫外LED消毒、高效电力转换开关,以及卫星通信射频组件等领域应用极具优势。Hexatech公司透露,这项N极过程技术已经开发了一年多,可以直接按直径和体积扩展,并且很好地与HexaTech之前宣布的100毫米扩展计划相契合,该计划部分得到了美国国防部DARPA UWBGS计划的支持。
铝极性更稳定,但电子移动受限,因此更适用于常规器件。N极性晶体生长难度更高,须解决表面氧化和缺陷等问题,但导热更好,绝缘性更好,高频性能更好。作为全球领先的单晶物理气相传输(PVT)生长的氮化铝(AlN)衬底商业供应商,HexaTech再次推动前沿产品能力,以满足客户的需要。
编译整理 YUXI
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