随着新能源汽车、轨道交通、智能电网等产业快速发展，功率半导体正朝着更高功率密度、更高效率和更高可靠性方向演进。尤其是第三代半导体SiC器件的大规模应用，使功率模块封装面临更严苛的散热和可靠性挑战，而作为封装核心材料之一的陶瓷基板，也正迎来新一轮技术升级。

陶瓷基板（来源：中瓷电子）

长期以来，氧化铝覆铜基板凭借成熟的工艺体系和较低成本占据市场主流。然而，随着SiC功率器件功率密度不断提升，氧化铝较低的热导率已逐渐成为制约系统性能发挥的重要因素。相比之下，氮化铝覆铜基板具有优异的导热性能，能够显著提升模块散热能力；氮化硅基板则兼具高热导率和高机械强度，在抗热冲击、抗机械疲劳等方面表现突出，在新能源汽车主驱逆变器、高铁牵引系统、工业电力电子等领域展现出广阔应用前景。不过，氮化硅基板的覆铜结合力、抗热震性能以及规模化制造等方面仍面临诸多技术挑战，有待产业链持续攻关。

DBC基板（来源：中瓷电子）

在即将于6月25-26日举办的“CAC2026全国先进陶瓷论坛暨半导体用陶瓷专题论坛”上，中国电子科技集团公司第十三研究所张崤君研究员将带来《功率模块封装用陶瓷基板材料》专题报告。报告将围绕SiC功率模块封装的发展需求，系统分析主流陶瓷基板材料的性能特点与应用场景，并分享中国电科13所基于高性能原材料构建氮化硅陶瓷基板自主解决方案的实践经验，为我国高端功率模块封装材料的国产化发展提供重要参考。

对于功率半导体、先进陶瓷、电子封装以及新能源汽车产业链相关企业而言，本场报告将为理解下一代功率模块封装材料的发展趋势与关键技术提供有价值的思路。感兴趣的话，欢迎点击“阅读原文”查看会议详情及报名！

关于报告人

张崤君，研究员，中国电科13所元器件封装技术创新中心副主任。长期从事高可靠封装技术及产品开发工作，在高可靠陶瓷封装等产品研发及应用方面具有丰富研究经验，荣获中国电子学会科技进步奖等多个奖项。获得发明专利多项，在核心期刊及国际会议上发表论文10余篇。

西安先进陶瓷论坛