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2024年9月9日，据环球新闻报报道，SINTX作为先进陶瓷企业收到美国专利和商标局(UPTO)通知，其利用氮化硅涂层对锆增铝（ZTA）陶瓷进行表面改性的专利技术获得通过，通过利用氮化硅的生物相容性，改进植入物性能。这一...
日本知名材料企业信越化学工业株式会社宣布，已成功开发出用于氮化镓（GaN）半导体的300毫米（12英寸）QST™基板，并已开始提供样品。这一突破性进展将大幅提高客户生产效率，有望加速新一代半导体在6G通信和数据中心...
8月29日，全球发行期刊“InternationalJournalofExtremeManufacturing”（极限制造）在线发表了由天津大学机械工程学院先进材料与高性能制造团队的最新成果——氮化铝、氮化硅陶瓷半导体设备耗材高精度加工基础与应用研...
9月3日，中国五矿集团有限公司的王炯辉科研团队经过多年研发，通过物理化学提纯、低温高温连续提纯、超高真空提纯，多种技术组合的梯次提纯，将石墨纯度从95%提升到99.99995%以上，成功开发出质量稳定、成本具有显著...
8月20日，Silicon（硅）期刊发表了可以用于不锈钢耐腐蚀的新型金属陶瓷复合涂层开发成果，研究人员以聚碳硅烷（PCS）为分散剂，把研磨的Al/SiC金属陶瓷粉末作为填料，经过气氛加热处理后得到涂层，可有效降低不锈钢...
据交大新闻网早前消息，西安交通大学王宏兴教授团队采用自主研发技术，成功实现2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底的量产，这对于半导体器件全面提升性能，为国内半导体产业前沿领先原材料供给和技术发展提供了重要...
最近，日本特殊陶业（Niterra）与日本大学理工学部共同开发出小型、功能强大的可实现世界最高级声压输出的超声波发射器，相比传统产品，更有利于在飞行器上使用。“作为小型、低功耗的发射器，它为空中超声波的实用化...
三菱材料公司于8月21日宣布，已经开发出一种用于半导体先进封装工艺中放置半导体芯片的载体基板。这种方形硅基板具有高平坦度和低表面粗糙度，尺寸最大可达600mm。圆形基板和方形基板的对比在将多个半导体芯片（如芯...
2024年8月20日，北海道大学宣布，该校与东北大学、加州大学的联合研究团队成功实现了下一代蓄电池“水系锌离子电池”的高能量化和高输出化。研究背景目前，广泛使用的锂离子电池因其使用稀有金属，资源枯竭可能导致供...
最近，深圳理工大学讲席教授丁峰与北京大学教授彭海琳合作，成功制备出4英寸超平整单晶六方氮化硼晶圆的成果以“Ultraflatsingle-crystalhexagonalboronnitrideforwafer-scaleintegrationofa2D-compatiblehigh-κmetal...
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2024/09/20
