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总投175亿碳化硅半导体项目与山西阳城达成意向协议
2021年09月01日 发布
分类：行业要闻 点击量：733
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8月24日，山西省商务厅发布公文称，总投资175亿元的第三代半导体SiC实验室项目与阳城开发区初步达成意向性合作协议。
据披露信息，该项目核心团队是由著名半导体技术专家组成，掌握250多个专利，覆盖原材料制造、芯片制造、IC设计、SiP封装等领域。项目启动资金8000万元，建设实验室、测试中心、长晶房、办公区等约2000平方米，形成月产5000片碳化硅功率芯片制造能力。8月10—13日，项目方负责人修雷明来阳城开发区考察对接，双方初步达成意向性合作协议。
近年来，山西半导体产业快速发展，其半导体产业主要集聚在太原、忻州、长治等地，以太原中国电科（山西）电子信息创新产业园、忻州半导体产业园两大半导体产业园为中心，初步形成了碳化硅、砷化镓等第二/三代半导体衬底材料—芯片—封装—应用产业链条。 粉体圈 整理 
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