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先进半导体制程中,多层布线结构要求每层表面绝对平整(划痕、残留颗粒会导致电路短路或断路)。CMP通过化学腐蚀与机械研磨的动态协同机制,实现晶圆表面纳米级甚至原子级平整(粗糙度Ra<0.1nm,全局平坦度GBIR误...
化学机械抛光(CMP)作为先进的表面处理技术,在现代精密制造领域占据着举足轻重的地位,二氧化铈抛光材料在CMP中同时参与化学和机械作业,更是其中关键。二氧化铈抛光液是个统称,不同应用领域有专用类型——以半导体...
6月24日,博拉(AdityaBirla)集团旗下HindalcoIndustriesLimited(印度铝业)宣布以1.25亿美元收购美国特种氧化铝制造商AluChemCompanies,Inc。这次战略投资也意味着印度公司首次进入低钠板状刚玉领域,强化了其特...
第三代半导体材料碳化硅(SiC)的超高硬度和化学稳定性使其成为最难加工的材料之一,其表面抛光工序也严重制约了产业化进程。磁流变弹性体抛光垫技术是一种通过磁场动态调控抛光垫力学性能、并利用固相芬顿反应氧化S...
铈基稀土抛光材料是一类以铈(Ce)为主要成分的高性能抛光材料,区别于氧化铝、金刚石等依赖自身高硬度磨料的“暴力”,它利用独特的Ce³⁺/Ce⁴⁺氧化还原循环与氧空位活性,进行“化学-机械”协同作业,从而在分子层面实现...
光刻和薄膜沉积是芯片制造的后续工艺,而在这之前,要求在多层互连结构(如铜布线、钨栓塞、介质层)中实现纳米级甚至原子级的全局平坦化,因此CMP工艺必须精确控制材料去除速率和选择比,这决定了芯片制造的良率与...
6月18日,北京,中国2025年会暨第二十届国际先进复合材料制品、原材料、工装及工程应用展览会开幕,湖南泽睿新材料有限公司(泽睿新材料)发布并展出了两款复合材料革命性的新产品——Zeralon3A纤维和Zelramic300纤维—...
在抛光液(剂)体系中,研磨抛光材料(磨粒)的粒度是决定材料去除率和最终表面粗糙度的最直接因素;Zeta电位则反映磨粒在液相(抛光液)中的分散稳定性和颗粒间相互作用力,这两者相互关联、影响,共同决定了抛光效...
据环球新闻6月12日消息,总部位于美国宾州的工程材料公司Coherent推出突破性的金刚石/碳化硅复合陶瓷材料,这为解决人工智能AI数据中心和高性能集成电路系统的散热提供了有力支持。金刚石/碳化硅复合陶瓷(来源:Coh...
最近,北京精微高博仪器有限公司(精微高博)重磅推出了Lattice系列高功率X射线衍射仪,而了解X射线衍射(XRD)表征意义就知道,这将极大助力国内粉体工业整体水平的进步。X射线衍射(XRD)在粉体材料分析中能够精准...
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