当前位置:首页 > 粉体资讯 > 技术前沿 > 正文
扩建SIC功率器件产能,是哪些新技术让Rohm信心十足?
2021年03月01日 发布 分类:技术前沿 点击量:247
0

碳化硅(SiC)功率器件具有一系列的优点,如导电率高、开关速度快、功耗小等。它也在更高的温度和电压下工作。利用这些优点,它提高了功率MOSFET的效率和功率密度。IGBT牵引逆变器仍有市场,尤其是对于更传统的混合动力汽车。SiC将比IGBT更昂贵,但与IGBT相比,SiC必将提高整体效率。

Rohm最近宣布前年开工的Apollo工厂扩建碳化硅(SiC)功率器件产能项目完工,新工厂采用工厂自动化和可再生节能技术,提供100%的绿色制造。Rohm美国公司总裁Jay Barrus和技术营销经理Ming Su称,公司正致力于通过增加晶圆直径和使用最新设备来降低制造业对环境的影响,从而提高制造效率。

位于日本本土的Apollo工厂

Barrus说,“集团生产碳化硅晶片的SiCrystal GmbH公司将开始使用100%的可再生能源生产,将工厂能源采购产生的二氧化碳排放量降至零。所有主要的碳化硅晶圆生产过程都将使用可再生能源。” “公司的第四代SiC MOSFET在更薄的SiC芯片上采用了双沟道MOSFET结构,可将漏源导通电阻RDS(ON)降低40%,对于大功率系统,MOSFET芯片级电流密度的增加将与SiC芯片两侧的焊接和银烧结兼容性相结合,以提高功率循环可靠性,并通过灵活的模块封装实现更好的热性能。”

由于相对于IGBT的容量和竞争力,Su指出成本优化仍然是需要的。“我们计划在今年年底发布新一代SiC mosfet,以支持电动汽车的生产。我们正在优化使用6英寸晶圆的碳化硅生产效率,在未来,我们肯定已经在准备进一步准备和升级到8英寸晶圆。”

参考来源:eetimes

编译:YUXI


相关内容:
0
 

粉体求购:

设备求购:

寻求帮助:

合作投稿:

粉体技术:

关注粉体圈

了解粉体资讯