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近年来，随着具备高温适应性和高压耐受性的SiC（碳化硅）功率器件在电路中的广泛应用，以及电动汽车（EV）为了缩短充电时间而要求更高电压和大电流的电路设计，电路中使用的谐振电容器和吸收电容器对高压耐受性的需...
10月9日，中国电子材料行业协会官网发函，《晶体生长用高纯碳化硅粉体》团体标准已通过专家立项评审，予以公示，并公开征集标准制修订工作参与单位。欢迎有相关意见或意向的组织和个人积极参与标准制定。碳化硅(SiC)...
进入AI时代，信息量的爆发式增长使得人们对信息处理能力的需求也不断提升。随着摩尔定律开始逼近物理极限，集成电路技术的发展面临着极限，电子学的瓶颈越来越凸显，人们开始寻求更高速、更大容量的信息传输方案。受...
9月26日，材料科技公司NaieelTechnology宣布，氮化硼纳米管BNNT工业规模生产取得里程碑式突破，这种尖端材料实现连续生产，并大幅降低生产成本，将使其工业和半导体等高端领域广泛应用成为可能。NaieelTechnology官...
人工智能的快速发展，拉动了高速信号处理、光通信、光学传感器等领域的建设需求。磷化铟（InP）作为具有电子迁移率高、禁带宽度大、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高等优良特性的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，被认...
据内蒙古自治区工业和信息化厅日前发布，工信厅组织中国有色金属工业协会对蒙泰集团年产1万吨高铝粉煤灰/煤矸石提取铝硅氧化物及铝硅合金项目进行技术成果鉴定，中国工程院柴立元、黄小卫、赵中伟三位院士以及国内有...
9月25日，在2024集成电路（无锡）创新发展大会上，上海交通大学无锡光子芯片研究院建设的国内首条薄膜铌酸锂光子芯片中试线在无锡滨湖区启动。中试线正式启用后，预计年产能达10000片晶圆，2025年第一季度将正式发布...
半导体功率器件的发展是随着半导体材料的第一代、第二代、第三代禁带宽度的逐渐打开以及功率密度的提高决定的。同时，随着这些材料的进步，器件对电源系统的效率和性能提出了更高的要求，配套的磁性元器件更是在其中...
2024年9月27日，中国电子材料行业协会粉体技术分会在平顶山市河南中宜创芯发展有限公司组织召开了《晶体用高纯碳化硅粉体》团体标准立项评审会。本次会议是按照国家标准委对团体标准的要求和中国电子材料行业协会《C...
AI算力的飞速发展对电源设计提出了前所未有的挑战，特别是在大规模AI模型训练和推理中，计算设备的功耗急剧增加。随着AI芯片的性能不断提升，功率密度也随之显著提高，例如英伟达新一代GB200显卡单板TDP（热设计功耗...
远光锆业：二十年专注锆钛，以全链条能力服务下游产业
龙亿装备：从非金属矿到新能源原料深加工之路
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2024/10/09
