据中新网辽宁新闻，9月21日，大连普兰店区举行招商引资项目集中签约仪式，其中，单晶金刚石超宽禁带半导体、5G复合器件项目总投资15亿元。

图片来源：大连普湾网

相比SiC/GaN为代表的宽禁带半导体（禁带宽度大于2.3电子伏特），金刚石、氮化铝和氧化镓等具有更宽的禁带宽度，被称为超宽禁带半导体（金刚石半导体材料的禁带宽度达5.45电子伏特），未来有可能用来制造具有更低电阻、更高工作功率、更高耐温的功率器件，因此研发热度一直不减。但金刚石材料的高成本和小尺寸是制约金刚石功率电子学发展的主要障碍。

据悉，本次项目主要产品有MPCVD设备、单晶金刚石半导体材料、5G通讯芯片键合用IMC、多晶金刚石热衬底、培育钻石等。项目负责人表示，普兰店交通区位优势突出，在前期洽谈中，该区良好的营商环境和投资环境给企业留下了深刻的印象，也坚定了企业到普兰店投资的信心和决心。下一步，企业将深度融入普兰店发展大环境，在发展壮大的同时，为地区经济社会发展做出更大贡献。

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