10月7日，据今日半导体披露消息，总部位于美国加州的材料技术公司Mivium Inc展示了高纯度亚微米氮化镓（GaN）粉体的批量化生产的能力，这将为以前根本无法实现的全新器件架构和集成策略开启可能性。

半导体级氮化镓产品最上游源头粉体

氮化镓（GaN）带隙为3.40eV，属超宽禁带半导体。禁带的宽度决定了电子跃迁的难易程度，是半导体导电性的决定因素之一，带隙越宽，半导体材料就越接近绝缘体，器件的稳定性也越强。因此，超宽禁带半导体可用于高温、大功率、高频和抗辐射等特殊环境。氮化镓具有较高的电子饱和率，是硅的2.5倍，砷化镓的2倍。同时，氮化镓还具有高临界磁场和高电子迁移率的特性。因此，它是超高频（UHF）功率器件或设备的最佳选择。

关于Mivium展示的粉体产品，经独立第三方检测机构证实为六方纤锌矿氮化镓（h-GaN），粒径分布为300-500纳米。传统氮化镓器件制造通常通过衬底进行外延生长工艺制备。半导体级粉体的出现，不仅意味着相对廉价的原材料，也避免对前驱体和复杂工艺的依赖，基于粉体形式的器件合成也更具可扩展性。

Mivium展示全球首个氮化镓粉体量产装置（来源：Mivium官网）

今年7月，Mivium完成了一笔423万美元的私募融资，这使其累计融资总额超过1050万美元，该公司还利用其亚微米级粉末平台推进氮化镓薄膜的开发，并已完成内部的初步沉积工作。这项工作将公司的研发路线图从粉末原料扩展至潜在的半导体和光子学应用领域。

粉体圈整理