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走近名企|氮化铝头部玩家德山化工热管理新品探秘!
2022年05月17日 发布 分类:行业要闻 点击量:1312
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5月10-12日,纽伦堡国际电力电子行业展(PCIM Europe)经过两年线上交流后,终于以线下形式举办。众多国际展商中,日本德山化工(tokuyama)携其陶瓷填料和基板等热管理材料前去捧场,鉴于多数国内相关企业和从业人员难以参展或观展,笔者尽力挖掘相关产品信息以稍许弥补遗憾。

德山化工

氮化铝

德山的高纯度氮化铝粉末具有与各种半导体相似的优良导热性、高电绝缘率和热膨胀特性,年产840吨,全球市场占有率约75%;通过在这种高纯度氮化铝粉末中添加烧结助剂,德山还提供了易于处理的高纯度氮化铝造粒粉;当然也包括由粉体和颗粒烧结的氮化铝陶瓷材料。



氮化铝陶瓷粉体及其典型参数

德山氮化铝粉体采用“氧化铝粉碳热还原法”工艺制备,该方法是以超细氧化铝粉和高纯度碳黑粉作为反应原料,经过球磨混合均匀后,比表面积增大,然后在氮气氛围中反应数小时,被还原出的铝与氮气作用,生成氮化铝(国内采用该路线的代表为钜瓷科技)。产品优势主要为高纯度(钙、硅、铁、碳杂质以及氧含量低),高分散(一次粒径为0.6μm左右,经表面处理后的粉体不易团聚,平均粒径为1μm),以及优良的烧结性能(满足热压、无压工艺)。


氮化铝导热填料(新品)

新型氮化铝填料,除了具有高导热性和绝缘性外,还具有优异的流动性,并实现了对树脂的高填充,从而实现了其高导热性的提高。德山正在开发的氮化铝填料粒径范围为1-120μm,一般情况下,将大、中、小三种颗粒左右以合理的配方混合填充,当几种氮化铝填料共混填充80vol%时,导热系数为12W/mK,是环氧树脂单独导热系数的60倍左右。此外,德山氮化铝填料由于其颗粒形状、表面光滑度和单分散尺寸而具有比传统氮化铝填料更低的粘度。其结果,不仅实现了填料的易混合和较高的填充,而且氮化铝填料的较高填充提高了硅树脂的柔软性。



氮化铝陶瓷及其产品阵容参数

德山的SHAPALTM氮化铝陶瓷具有优异的导热性,对卤素气体等离子体具有很强的抵抗力,并且具有与硅相似的热膨胀系数,适用于制作半导体陶瓷基板,LED散热基板、电源设备等。根据不同应用,德山开发了侧重高强度的SH-30,可做到1毫米以下厚度;侧重高导热的SH-15,厚度为2毫米或以下,主攻半导体;侧重高纯度(不含添加剂)的SH-50,可以满足对金属杂质敏感的应用。

氮化铝陶瓷


德山可加工氮化铝陶瓷及其内部结构

鉴于陶瓷的硬度和易碎性,它们难以加工。德山开发了一种SHAPALTMHi Msoft专利易加工氮化铝陶瓷,除了氮化铝陶瓷典型特征外,它具备低热膨胀和高强度特征,同时又有很好的机械加工性能。德山对此的解释是其含有片状晶体颗粒,防止了硬质合金刀具的加工导致其从外至内的开裂。


氮化铝单晶衬底及HVPE法示意图

氮化铝单晶衬底及HVPE法示意图

去年9月,德山线上展示了其正在研制中的用于电子器件和其它衬底的氢化物气相外延(HVPE)生长的AlN单晶衬底。与蓝宝石或SiC衬底相比,AlN与GaN热匹配和化学兼容性更高、衬底与外延层之间的应力更小。因此,AlN晶体作为GaN外延衬底时可大幅度降低器件中的缺陷密度,提高器件的性能,在制备高温、高频、高功率电子器件方面有很好的应用前景。用AlN晶体做高铝(Al)组份的AlGaN外延材料衬底还可以有效降低氮化物外延层中的缺陷密度,极大地提高氮化物半导体器件的性能和使用寿命。

氮化硼

氮化硼具有优异的导热性和电绝缘性,因此广泛用作散热树脂片材和散热基板的填料。加之光滑和透明的特点,德山则不仅开发导热填料,也在开发化妆品等其他应用填料。


德山氮化硼导热填料及其与氧化铝填料性能对比(新品)

德山氮化硼导热填料及其与氧化铝填料性能对比(新品)

与典型的氮化硼颗粒的片状和薄板结构相比,德山的氮化硼颗粒具有形状较粗的特点,适合用作填料,而且纯度极高。“碳热还原氮化(CRN)法”是德山独创的方法。采用CRN法制备了颗粒较粗的氮化硼,具有优良的填料性能。

氮化硅

德山专门成立部门开发氮化硅粉体和由氮化硅粉体制成的高强度、高导热陶瓷的批量生产技术,除了主攻功率半导体陶瓷基板外,也包括其他应用。

氮化硅陶瓷


高导热性、高绝缘性和高断裂韧性的氮化硅基片和金属化基板(新品)

2020年6月,德山宣布将于当年7月开工建设先进技术商业化中心(示范工厂),计划在两年内投入约30亿日元,旨在为包括氮化硅在内的先进材料寻求推广实际应用。据当时公告,该工厂在20214月左右试运行,夏季则可将产品进行测试。而小编在线上PCIM 2022也仅能找到两张图片,无法获得更详细的参数,只能留待日后再找机会补充了。


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