我国先进碳基复合材料研发与制造高新技术企业，科创板上市企业，湖南金博碳素股份有限公司（金博股份，688598）于近日正式发布金博金瓷氮化铝粉体新产品，引发业界关注。

一、核心突破

氮化铝(AIN)陶瓷，因其卓越的高导热、低热膨胀、高绝缘及优良的力学性能，是解决大功率半导体器件、先进封装、高密度集成系统散热瓶颈的核心材料。金博股份表示，公司历时五年潜心研发，在材料体系、装备能力与工艺控制方面实现了系统性突破：

技术：通过氧杂质精准调控技术，实现氧含量稳定控制在0.75%以下。基于此技术制备的氮化铝陶瓷基板，经测试热导率突破230 W/(m·K)，达到国际同类材料先进水平；

装备：自主研发碳热还原反应装置，优化炉内温度场分布与气氛控制系统，实现反应温度±5℃精密控制及气氛动态调节，保障材料性能稳定输出；

工艺：建立全流程工艺参数耦合优化模型，实现从原料粒径分布、碳铝摩尔比到烧结制度的系统化控制，提升产品一致性与可规模化能力。

二、新品发布

金博股份本次发布的产品包括：金博金瓷高纯氮化铝微米粉、高纯氮化铝造粒粉、球形氮化铝填料粉系列。其中，KBMC-E高纯氮化铝微米粉氧含量＜0.75%，杂质含量小于300ppm，性能指标达到国际先进水平。公司将于2026年6月份建成年产500吨高导热氮化铝粉体的示范生产线，为推动我国半导体装备、新能源、5G通信等领域的科技进步与产业升级贡献力量。

小结

金博股份依托碳基复合材料底层技术，推动了光伏热场材料的国产化替代，并在碳陶制动、锂电热场及氢能关键材料等方向实现规模化应用与产业突破。在此基础上，公司正持续向先进陶瓷等高性能材料领域延伸，拓展材料技术边界。本次正式发布高纯度、低氧含量、粒度分布均匀的AIN粉体产品，意味着公司构建“碳基材料+先进陶瓷”双擎技术体系布局展开。

粉体圈 整理