7月20日，三安光电第三代半导体项目开工活动在长沙高新区举行。项目总投资160亿元，建设国内首条碳化硅半导体全产业链产线。
早在2019年11月11日，三安光电发布2019年度非公开发行A股股票预案，拟募集资金总金额不超过70亿元，投入半导体研发与产业化项目。今年6月16日，三安光电公告宣布拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司，投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目。
据悉，占地面积1000亩的“三安光电第三代半导体产业园”主要用于建设具自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及电子封装产业生产基地，在长沙建设形成长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装的碳化硅全产业链，包括6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET在内。预计项目48个月（4年）内完成二期项目建设并实现投产，72个月（6年）内实现达产。
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