据报道，中国电子科技集团公司第二研究所（中电科二所）实现了5N以上高纯度的碳化硅单晶粉料量产。结合其自身碳化硅单晶生长炉的生产能力，实现了第三代碳化硅（SIC）半导体从设备到原料的完全自主生产。
高纯SiC粉料是SiC单晶生长的关键原材料，单晶生长炉是SiC单晶生长的核心设备，要想生长出高质量的SiC单晶，在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下，还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。
据悉，单晶生长炉需要达到高温、高真空、高洁净度的要求，目前国内只有两家能生产单晶生长炉，中国电科二所是其中之一。他们突破了大直径SiC生长的温场设计，实现可用于150mm直径SiC单晶生长炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产；他们还突破了高纯SiC粉料中的杂质控制技术、粒度控制技术、晶型控制技术等关键技术，实现了99.9995%以上纯度的SiC粉料的批量生产。
注：
中国电科二所从2007年开始从事SiC单晶装备研究，在国家相关部委的支持下，通过艰苦攻关，立足自主研发与技术引进相结合，历时10余年，全面掌握了SiC单晶炉研制、高纯粉料制备及SiC单晶生长等多项关键技术。
参考来源：科技日报
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