根据国家发改委通知，中国电科二所“SiC单晶衬底材料制备产业化”项目获得国家发改委2015年第三批专项建设基金支持。该项目将在现有碳化硅工艺技术基础上进行高纯SiC粉料合成、6英寸SiC单晶生长、4英寸高纯半绝缘SiC单晶生长工艺及其相关设备产业化建设，最终实现规模化批量生产能力。
今年早些时候，山西省科技厅组织有关专家对中电二所完成的“4英寸碳化硅单晶材料工程化制备”项目进行了成果鉴定。专家组普遍认为，该项目在同类研究中总体达到了国内领先水平，其中单晶材料生长设备达到了国际先进水平。该项目顺利通过成果鉴定标志着中电二所碳化硅设备及材料已经达到了国际及国内相应水平，该所的碳化硅设备及材料获得专家一致好评。
(粉体圈 作者：郜白）
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