JX金属近日宣布，将投资约40亿日元，对韩国JX金属的半导体用溅射靶材加工产能进行扩充。新增产能预计于2027财年下半年投入运行，届时整体加工能力将较2025财年提升至约2倍。
JX金属生产的半导体用溅射靶材，主要用于先进逻辑芯片、高带宽存储器（HBM）、3D NAND闪存等多种半导体器件的制造。随着韩国AI数据中心建设持续推进，面向相关设备的先进存储器需求不断增长，带动半导体溅射靶材市场需求扩大。
JX金属的半导体靶材材料种类一览
韩国JX金属主要负责半导体用溅射靶材的后道加工。为满足客户日益增长的需求并进一步强化稳定供货能力，公司决定扩大相关加工产能。
此次投资将引进JX金属在日本及海外生产基地已投入使用并积累成熟经验的自动化加工设备，同时配套建设相关设施，以提升整体加工效率和生产能力。JX金属表示，未来将根据韩国市场需求变化，进一步研究扩大产能的可能性。
此次韩国扩产也是JX金属持续强化全球供应能力的一部分。2026年6月，公司宣布将在台湾基地投资推进加工生产线自动化；同时，美国亚利桑那州工厂也在持续扩大加工能力。此外，公司还计划增强位于日本茨城县的薄膜材料工厂生产设备，通过在全球多个生产基地持续投资，进一步提升半导体材料的供应能力。
粉体圈编译
粉体圈首页
