9月15日，Resonac（力森诺科）宣布已成功制造出300mm（12英寸）碳化硅单晶并加工成衬底，标志着碳化硅衬底以及外延晶圆向大直径、高品质方向演进的关键技术里程碑。
Resonac开发的300毫米(12 英寸)碳化硅晶圆(右)
碳化硅作为功率半导体的核心基材，相比传统硅基芯片拥有更低功率损耗、散热性能更佳的优势，下游市场主要面向新能源汽车、光伏储能、数据中心电源等赛道，市场需求持续上行。现阶段Resonac主要供应150mm（6英寸）碳化硅外延晶圆为主，同时200mm（8英寸）外延晶圆已实现对外出货。
300mm（12英寸）碳化硅衬底已成为全球主要衬底厂商重点攻坚方向。目前该尺寸尚未进入大规模产业化阶段，距离稳定量产、客户送样验证还有较长周期。大尺寸衬底一旦实现量产，单颗晶圆上可制备更多功率芯片，有助于降低芯片制造成本，对下游车规级功率器件降本具有重要意义。
随着新能源汽车对碳化硅器件需求量持续攀升，各家厂商加速冲刺12英寸研发，意味着碳化硅大尺寸赛道的技术竞争进一步升级，后续晶体良率、加工稳定性将成为各家角逐的核心焦点。
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