伴随半导体芯片功率密度攀升，先进封装对互连材料的导电、导热、可靠性及成本控制提出更高要求，比如功率器件封装领域，烧结银与烧结铜凭借优异的导电导热性能和较高的服役温度，正加速替代传统焊料和有机导电材料；在TGV玻璃通孔互连领域，铜浆直填相比传统电镀优势显著，已成为金属化填充的新兴技术路线。然而，高端互连材料长期被海外巨头主导，国产化替代需求迫切。

首先，以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件工作温度可达250℃以上，对芯片贴装材料提出了“低温制备、高温服役”的严苛要求，金属烧结材料因此成为功率器件、先进芯片及高端电子封装的重要材料方向。同时，TGV等新型封装产业化进程提速，韩国三星公布的玻璃基板方案显示，TGV通孔直径约50至150微米，并采用全铜填充方式进行金属化；还有英特尔已公开展示厚核心玻璃基板与EMIB相结合的方案，计划年内实现量产。以上，产业趋势已基本验证微纳银、铜粉浆等金属材料未来上升空间。

北京中科纳通电子技术有限公司聚焦微纳米尺度银/铜烧结技术的原理突破与产业化落地，在烧结银领域形成了从基础研究到工程应用的完整技术积累。公司依托中科院纳米技术与产业资源，致力于为先进封装、功率半导体等领域提供高性能互连材料解决方案，推动微纳金属粉体与浆料的国产化与产业化进程。9月21-22日，苏州“2026年纳米金属粉体/浆料制备与应用创新发展论坛（第二届）”特邀中科纳通总经理范晔博士分享报告“微纳金属粉体与浆料在先进封装中的应用创新与国产化探索”，届时他将围绕银、铜等金属粉体及浆料TGV互连、烧结芯片及模块封装、导电封装等领域的应用实践，展示无压烧结银、加压烧结铜、TGV铜浆及导电封装胶等材料解决方案；报告还将结合当前先进封装、功率半导体及国产化替代需求，分享相关产品在GaN器件封装以及传统焊料替代中的应用探索，探讨微纳金属粉体与浆料的国产化、产业化及上下游协同发展机会。在微纳金属材料进一步向低温烧结、低贵金属化、多尺度粉体协同以及材料—工艺一体化方向发展的产业背景下，范晔博士的报告将为行业提供从材料研发到产业化应用的系统视角。

报告人简介

范晔，南京理工大学材料科学与工程专业博士，现任中科纳通苏州公司总经理、苏州研发部总监。长期深耕纳米材料微观形貌精准调控与可控制备领域，核心聚焦微纳米尺度银 / 铜烧结技术的原理突破与产业化落地，尤其在烧结银领域形成从基础研究到工程应用的完整技术积累。

苏州纳米金属论坛