随着半导体芯片先进制程不断向更小节点迭代，集成电路的结构设计、材料体系迎来颠覆性升级与革新，以芯片互连工艺为例，长期以来大规模应用的铜互连技术在微缩化进程中逐渐暴露出诸多无法规避的短板，如高电阻率、电迁移失效、尺寸缩放受限等问题，严重制约了高端芯片的性能提升、功耗优化与使用寿命升级。为突破铜互连的技术桎梏，全球半导体行业逐渐将目光投向电阻率更低、抗电迁移性能更优的钌、钴、钼等新型金属材料 。

然而，材料的迭代意味着工艺也需要革新，比如，相较于传统铜材料，钌具有更高的稳定性和更高的硬度，是典型的难抛光材料，同时叠加先进制程的表面加工精度要求严苛，行业当下普遍面临抛光效率与抛光质量无法兼顾的共性技术矛盾：若要提升材料去除效率，极易引发表面划痕、凹坑、界面损伤等缺陷；而若严控表面缺陷，又会大幅降低抛光速率。

磨料作为 CMP 抛光体系的核心关键，其组分搭配、粒径均一性、表面改性设计直接决定最终抛光成品质量，如何针对性开发适配难加工材料的专用纳米磨料，平衡去除速率与超低缺陷加工需求，是当前抛光材料领域亟待突破的重要研究方向。

7月15-16日，2026 第四届精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛特邀中国矿业大学（北京）程洁教授，带来主题报告《纳米磨料设计及在难抛光材料中的应用》。 报告将围绕钌、氧化硅两类典型难抛光体系，拆解适配性纳米磨料创新设计思路，并分享氧化铝/氧化钛复配体系、高均匀纳米氧化铈制备改性等前沿研发成果，从磨料底层设计出发给出新型互连材料抛光痛点解决方案。

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报告人介绍

程洁：中国矿业大学（北京）机械与电气工程学院，教授/博导。本科、博士毕业于山东大学、清华大学，在清华大学摩擦学国家重点实验室、瑞典皇家理工KTH从事博士后研究。主要研究方向为化学机械抛光技术、煤基碳电子材料加工、磨蚀技术等研究。主持国家自然科学基金面上/青年项目3项，入选中国科协“青年人才托举工程”、北京市“科技新星”人才计划。发表SCI论文60余篇，出版英文专著1部，摩擦学教材1部，制定国际/国家/团体标准6项。获中国腐蚀与防护学会科学技术奖(自然科学类) 一等奖（排名1），温诗铸枫叶奖-优秀青年学者奖、教育部机械设计课程群虚拟教研室讲课比赛特等奖。担任中国腐蚀与防护学会磨蚀与防护技术专委会秘书长、中国稀土学会稀土原子级制造技术专业委员会委员\中国机械工程学会摩擦学分会委员、广东省先进绿色润滑材料企业重点实验室学术委员会委员、Surface and Coatings Technology、《中国表面工程》期刊编委、集成电路科学技术大会(CSTIC) committee member等。

无锡精密研磨抛光论坛会务组