在精密研磨抛光和半导体制造领域，颗粒控制始终是影响产品性能与制造良率的重要因素。尤其是在CMP抛光液、电子封装材料等关键环节中，微量异常颗粒往往会带来远超其数量占比的影响——尺寸仅有几十纳米至亚微米级的团聚颗粒，可能成为晶圆划痕、器件缺陷、绝缘失效甚至良率下降的重要诱因，因此如何实现颗粒的精准检测与有效管控，已成为产业链企业关注的重点课题。

抛光液使用过程示意图

然而，目前广泛应用的动态光散射（DLS）、激光衍射以及常规光阻法等检测技术，在面对0.01～1μm范围内的异常颗粒时，仍存在漏检风险，难以实现全粒径范围内的连续、真实表征。这也使得许多潜在风险颗粒无法被及时发现，给材料研发、品质控制和工艺优化带来挑战。

在即将于7月15-16日举办的“2026年全国精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛（第四届）”上，儒亚科技（北京）有限公司产品经理党金贵将带来《聚焦0.01~1μm异常颗粒：CPS实现半导体真实粒径全谱检测解决方案》专题报告。

报告将结合CMP抛光液及半导体封装环氧树脂添加剂两大典型应用场景，分析半导体产业链中的粒径控制难点，并重点介绍基于CPS圆盘离心沉降粒度技术建立的0.01～1μm全粒径真实分布检测方案。

此外，报告还将系统讲解CPS圆盘离心沉降技术在抛光液核壳结构、抛光液磨料改性方面的介绍，并分享该技术在其他纳米材料体系中的应用案例，为企业开展异常颗粒检测、优化产品质量控制体系提供新的技术思路。

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关于报告人

党金贵，儒亚科技（北京）有限公司从产品经理，江南大学硕士。在中文核心期刊和CSCD发表相关文章，专业从事各类粉体粒度表征多年。参与制定《纳米技术 纳米颗粒数量浓度测量指南》和《橡胶配合剂 沉淀水合二氧化硅 用圆盘式离心沉降仪测定聚集体尺寸分布》等相关标准的制定，在纳米领域粒径表征中具有独到的见解。

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