总投资1亿元,珈能硅基年产3000吨高纯二氧化硅制造基地投产

发布时间 | 2026-07-30 17:13 分类 | 企业动态 点击量 | 4
氧化硅
导读:近日,珈能硅基(大理)半导体材料有限公司年产3000吨高纯二氧化硅制造基地项目在云南祥云经济技术开发区正式投产。

近日,珈能硅基(大理)半导体材料有限公司年产3000吨高纯二氧化硅制造基地项目在云南祥云经济技术开发区正式投产。

据了解,项目由珈能硅玑(上海)半导体材料有限公司投资建设,总投资约 1 亿元。产线采用自主研发人工合成提纯工艺,量产 4N 级高纯二氧化硅。产品具备极低放射性、介电性能优异等优势,可适配 HBM 高端存储芯片 TGV 通孔、芯粒互联、AI 算力芯片微孔加工、高端掩膜版等前沿半导体制造场景。依托云南本地硅资源与绿色能源优势,基地搭建原料提纯、粉体合成、超净封装一体化生产体系。项目全面达产后,可实现年产 3000 吨高纯二氧化硅,预计年产值超 2 亿元

本次投产3000吨产线是企业产能布局先导项目后续企业将持续推进 5N、6N 更高纯度产品研发及产业化落地。现阶段国内先进半导体关键粉体材料仍存在较高进口依赖。该项目建成投产,将有助于补齐产业链上游短板,缓解高端电子二氧化硅供给紧张局面,推动半导体上游粉体材料自主可控进程。

 

粉体圈整理

作者:粉体圈

总阅读量:4