近日，湖北芯中达材料科技有限公司（芯中达）与武汉中科先进材料科技有限公司正式签署合作协议——双方将围绕氮化铝陶瓷材料中试产线开发展开深度技术合作，共同加速国产高性能散热材料的产业化进程。
正式签约（来源：芯中达材料）
芯中达在2023年5月成立，致力解决国内电子元件和半导体的先进陶瓷零部件供应链问题，聚焦攻关半导体零部件氮化铝陶瓷片，主要产品及服务范围是针对国防军工、卫星通讯、汽车电子、半导体设备行业、消费电子、封装等领域的先进陶瓷——超高热导率的氮化铝陶瓷基板及零配件研发、生产与销售。今年3月，公司获得江夏区政府投资基金的400万元天使轮投资，发展正快速走向正轨。
武汉中科先进材料科技有限公司（武汉先进院）是武汉市经济技术开发区与中国科学院深圳先进技术研究院共建的湖北省内第一家中科院属企业法人的新型研发机构——主要围绕新能源、新材料和智能制造等领域，实现科技与企业、市场、资本的有机融合，建设高水平研发及转化平台。截至2023年4月披露信息，该院已在电池材料、微胶囊、气凝胶、纳米功能涂层等多个领域取得突破，多项技术实现科技成果转化和产业化，成果转化金额超亿元。
氮化铝基板（来源：芯中达材料）
芯中达建立拥有一支由材料科学领域博士后、博士等人才组成的团队，聚焦氮化铝基板的量产工艺优化，掌握核心配方和工艺，热导率突破250.989 W/m·K，达到国际先进水平！已申请多项核心发明专利，涵盖流延成型、烧结等多方面的工艺设计、界面增强及缺陷控制技术，形成技术护城河。
此次签约是芯中达布局先进陶瓷产业链的重要一步，也是武汉先进院践行“科技赋能产业”使命的又一实践。双方明确以协议签署为起点，通过中试阶段的技术验证，为后续规模化量产奠定基础。
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