随着电子器件持续向小型化、高频化、高稳定性方向演进，介电材料作为其核心基础材料展现出不可替代的应用价值。其中，Ⅰ类瓷，以线性/顺电介电响应、低介电损耗与高温度稳定性为特征，在高频通信、先进算力封装、雷达T/R组件等关键领域具有不可替代的应用价值。然而，作为材料的核心性能参数，介电常数（κ）、介电损耗（tanδ）与温度稳定性（TCκ）之间存在本征权衡：提升介电常数往往伴随损耗增大与温度稳定性衰减，这一矛盾长期制约着高端介电陶瓷的性能突破与技术发展。

面向高端电子元器件的多样化需求，从低κ到高κ介电材料体系不断拓展，如何针对高端电子元器件需求兼顾发展不同材料体系，以及通过精细结构策略调控实现性能协同优化，成为介电陶瓷研究的重要方向。

新型high-κ介电材料实现小型化C0G单层芯片电容器（图片摘自https://www.nature.com/articles/s41928-026-01721-1）

在2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛上，来自北京清华前沿交叉创新研究院、清华大学陶瓷国重的助理研究员戚俊磊博士，将带来《从低κ到高κ介电材料：材料创新赋能高端电子元器件》主题报告。

报告将围绕介电材料组分精准调控与跨尺度结构协同优化，论述从低κ至高κ核心介电陶瓷材料体系，实现介电常数、介电损耗与温度稳定性协同提升，满足多工况高端电子器件产业化需求，为高性能介电陶瓷体系研究奠定基础。

欢迎介电陶瓷、电子元器件相关领域的企业、科研院所和技术人员参会，交流介电材料体系创新与关键性能调控的研究进展。

关于报告人

戚俊磊，博士，北京清华前沿交叉创新研究院与清华大学陶瓷（国家）重点实验室助理研究员。聚焦电介质材料本征性能间的制衡关系，围绕高介电、低损耗与高温度稳定性的协同调控及其构效关系开展研究，构建物理信息机器学习研究范式，推动高端被动元器件的小型化与工程化应用。

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