最近，传统材料企业立中合金集团（立中集团）联合北京大学推进全球首个ALN（氮化铝）多晶复合衬底项目引起科技和新材料领域关注，这不仅是企业转型动作，同时也是半导体材料的重大创新，更是突破高性能半导体衬底材料的“卡脖子”技术，实现国产替代并降低成本的潜力方向。
奥趋光电氮化铝晶圆
旭化成氮化铝晶圆
现阶段传统蓝宝石衬底（PSS）存在导热性不足、成本高等问题，而ALN衬底凭借高热导率（理论值320 W/m·K）、低热膨胀系数和高绝缘性，成为功率器件、射频器件的理想选择。但是单晶ALN存在生长难度大，成本高的问题。
本次联合推进项目由立中集团参投的保定中创燕园半导体科技有限公司与北京大学联合开发，专注于第三代半导体关键材料技术及应用，项目的解决思路是聚焦多晶复合结构，通过优化晶界调控和界面结合技术，兼顾氮化铝衬底的性能提升与规模化生产经济性。而多晶工艺多原材料要求（纯度为主）相对宽松，采用留言发连续生产也将节能降耗，据悉相比单晶ALN衬底，多晶复合衬底的生产成本可降低30%-50%。
多晶复合衬底实现产业化，产品热导率将接近单晶ALN，部分性能甚至优于单晶ALN。届时将在新能源汽车电控系统、光伏逆变器、5G基站、卫星通信、半导体设备和AI光电器件等场景拥有较大应用潜力。
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