2024年10月17日，东北大学宣布成立FOX公司，这是一家以低成本大规模生产β-氧化镓（β-Ga₂O₃）晶片为目标的新创公司。FOX采用了该大学和大学新创公司C&A联合开发的无贵金属单晶生长技术，旨在以比SiC更低的成本生产出低缺陷程度与硅相当的β-Ga₂O₃衬底。

用OCCC方法生产的β-Ga₂O₃晶体（资料来源：东北大学）

与碳化硅和氮化镓（GaN）相比，β-Ga₂O₃具有更宽的带隙和更低的能量损耗，因此有望成为下一代功率半导体材料。此外，与硅一样，β-Ga₂O₃也可以从原材料熔体中熔融生长，因此可一次生产出大量高质量单晶。这种生长速度比SiC快10-100倍，理论上可以低成本、低缺陷地生产单晶衬底。

然而，在传统的晶体生长方法中，盛放高熔点氧化物熔液的坩埚使用了贵金属铱（2024年8月行情约为26,000日元/克），并且需要定期进行重铸。因此，铱相关的成本占了包括半导体前段工艺中的一部分薄膜制造成本的60%以上，这使得降低β-Ga₂O₃器件制造成本变得困难。目前，β-Ga₂O₃衬底比SiC更昂贵，β-Ga₂O₃的普及并未取得进展。此次成立的初创企业FOX正是为了应对这一挑战而成立的。

可与硅媲美的低缺陷晶片，生产成本低于碳化硅

FOX采用OCCC（冷容器氧化物晶体生长）方法，无需使用贵金属坩埚，即可生产出β-Ga₂O₃块状单晶，其低缺陷程度可与硅媲美。其目的是开发一种实用技术，以比碳化硅更低的成本生产出缺陷率低、可与硅媲美的β-Ga₂O₃晶锭/衬底。

OCCC法示意图（来源：东北大学）

OCCC方法是由东北大学材料研究所的吉川明教授、该校未来科学技术联合研究中心的镰田启副教授和C&A的研究小组共同开发的技术。2022年4月，该技术的开发和β-Ga₂O₃块状单晶体的成功生产的消息被公布。

2028年建立6英寸量产技术，目标2033年IPO

东北大学表示：“通过该技术在氧化镓的价格和质量问题上取得突破，助力氧化镓下一代功率半导体的社会应用，目标是将2030年预计仅为470亿日元（根据富士经济预测）的氧化镓市场大幅扩展。” 初期阶段将集中于使用OCCC法开发半导体级大尺寸化技术，加速技术开发，力争在2028年内确立6英寸晶圆的量产技术。此后，他们将进一步扩建量产工厂，推进6英寸晶圆的验证，计划在2033年之前进行IPO（首次公开募股）。

粉体圈Coco编译