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中国电科46所成功制备我国首颗6英寸氧化镓单晶
2023年02月28日 发布 分类:企业动态 点击量:539
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2月27日,中国电子科技集团有限公司消息称,中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶,达到国际最高水平。

氮化镓

氧化镓是新型超宽禁带半导体材料,拥有优异的物理化学特性,在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景。但因具有高熔点、高温分解以及易开裂等特性,因此,大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。

中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向,从大尺寸氧化镓热场设计出发,成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构。这一成果突破了6英寸氧化镓单晶生长技术,具有良好的结晶性能,可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制,将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。

中国电科46所是我国最早从事半导体材料和光纤研究开发与生产的单位之一,自成立以来,致力于为我国电子信息提供高性能、高可靠的各类电子功能材料。

近年来,中国电科围绕国家战略需求,在氧化镓、氮化铝金刚石等超宽禁带半导体材料领域砥砺深耕并取得重大突破和标志性成果,有力支撑了我国超宽禁带半导体材料的发展。


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