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天岳先进成功研发2-6英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术
2022年06月15日 发布 分类:行业要闻 点击量:141
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6月13日,专注于碳化硅衬底的制备技术的山东天岳先进科技股份有限公司在投资者互动平台表示,他们已成功研发出2~6英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术。

近年来,受益于新能源汽车、光伏逆变、储能、5G、快充等应用领域强劲的需求,以及政策和市场的双重驱动,碳化硅作为第三代半导体迎来高速增长。主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、充电桩等“新基建”为代表的电力电子领域,具有广阔可观的市场前景。

根据公开资料显示,天岳先进是全球少数能批量供应高质量半绝缘型碳化硅衬底的企业,已系统掌握碳化硅单晶设备的设计和制造技术、热场仿真设计技术、高纯度碳化硅粉料合成技术、不同尺寸碳化硅单晶生长的缺陷控制和电学性能控制技术、不同尺寸碳化硅衬底的切割、研磨、抛光和清洗等关键技术

SiC单晶衬底

天岳先进导电性SiC单晶衬底

较早前天岳先进已实现4英寸半绝缘型碳化硅衬底的产业化,目前也完成了6英寸导电型碳化硅衬底的研发并开始了小批量销售。其临港工厂新增产能将主要用于生产导电型碳化硅衬底,对应的碳化硅材料在新能源车等领域有着广阔的应用空间,目前已通过车规级IATF16949体系的认证并实现小批量供货。

关于天岳先进

天岳先进是我国宽禁带半导体材料领域的领军企业,自成立以来专注于宽禁带碳化硅半导体衬底材料研发与生产。公司建有“碳化硅半导体材料研发技术”国家地方联合工程研究中心、国家博士后科研工作站,拥有国际水准的研发团队,攻克了原料提纯、晶体生长、衬底加工等一系列难题,掌握碳化硅半导体材料产业化核心关键技术,产品性能达到国际领先水平。


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