第三代半导体发展加速,特凯斯碳化硅原材料及碳化硅衬底项目签约

发布时间 | 2024-10-09 09:17 分类 | 企业动态 点击量 | 664
碳化硅
导读:9月25日,在第三届全球数字贸易博览会重大项目签约仪式上,特凯斯新材料有限公司碳化硅原材料及碳化硅衬底项目正式签约浙江仙居。

9月25日,在第三届全球数字贸易博览会重大项目签约仪式上,特凯斯新材料有限公司碳化硅原材料及碳化硅衬底项目正式签约浙江仙居。

特凯斯碳化硅原材料及碳化硅衬底项目签约

特凯斯成立于2024年5月,是一家由海外留学归国人员创立的开发、生产第三代半导体材料的高科技公司。公司核心团队从事SiC相关材料和器件的开发累计已经超过50年的历史,独有的专利技术能够大幅降低第三代半导体器件的成本,提高性能,促进第三代半导体的大规模普及。而此次签约,特凯斯新材料有限公司计划在仙居建设第三代半导体上游产业中心,以进一步扩大其在行业中的影响力。

据悉,日前,特凯斯已对外公布了其年产1200吨碳化硅粗品项目的环境影响评价信息。根据公告,该项目将在仙居经济开发区现代医药化工园区内建设,包括生产线和配套的制氢项目。该项目占地120亩,总建筑面积约42150平方米,预计将形成年产1200吨碳化硅粗品和208吨氢气(全部自用,不对外销售)的生产能力,同时副产品为31%盐酸。


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作者:粉体圈

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