11月6日，据天岳先进官微消息，天岳先进向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。

针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题，天岳先进深化布局前瞻性技术。在备受关注的液相法领域，天岳先进继2023年成功制备出全球首个8英寸碳化硅晶体后再次取得了重大突破，于2024年推出了采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。

液相法具有生长高品质晶体的优势，在长晶原理上决定了可以生长超高品质的碳化硅晶体。天岳先进目前在液相法领域获得了低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体。通过液相法制备的P型4度偏角碳化硅衬底，电阻率小于200mΩ·cm，面内电阻率分布均匀，结晶性良好。未来，这种高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。

据悉，天岳先进n型产品市占率全球第二，高纯半绝缘型碳化硅衬底产品连续五年全球市占率排名第三。2023年，天岳先进还与英飞凌、博世等下游功率器件、汽车电子领域的知名企业签署了长期合作协议。在电动汽车领域，天岳先进的导电型n型碳化硅衬底产品具有显著优势。其车规级产品已经获得了国际客户的认可，并实现了6英寸和8英寸碳化硅导电型衬底产品的批量销售。同时，天岳先进的高纯半绝缘碳化硅衬底产品也为高频高输出的射频器件提供了优质的材料基础，适用于5G基站射频器件、卫星通信等高端应用领域，进一步拓展了天岳先进在碳化硅材料领域的应用范围。

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