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国瓷材料:氮化铝陶瓷基板将年内量产
2021年02月24日 发布 分类:企业动态 点击量:344
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2月23日,国瓷材料总经理张兵在2020年度业绩网上说明会上透露,公司氮化铝陶瓷基板目前已完成中试,将在2021年实现量产。此前国瓷材料高导热陶瓷基板项目公示材料显示,项目建成后可实现年产氧化铝粉体3000t,氮化铝粉体200t,高导热陶瓷基板200万片。

氧化铝

据国瓷材料氮化铝粉发明专利信息显示,其氮化铝粉采用一种高温熔融法制备,以氨气和氮气混合气体通入炉体与铝粉发生反应。该方法具备成本低,氮化铝粉末纯度高,球形度高,粒度分布窄,无结块的优点。

氧化铝

作为芯片承载材料,AlN陶瓷层可有效提高模块的绝缘能力,而且氮化铝陶瓷基板具有良好的导热性,热导率可以达到170-260W/mK。IGBT或SIC模块在运行过程中,在芯片的表面会产生大量的热量,这些热量会通过陶瓷基板传输到模块散热底板上,再通过底板上的导热硅脂传导于散热器上,完成模块的整体散热流动。除此之外,AlN陶瓷还具备热阻系数低、膨胀系数匹配、机械性能优、焊接性能佳的显著特点,采用氮化铝陶瓷基板的IGBT模块具有更好的热疲劳稳定性和更高的集成度。

粉体圈 郜白


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