在半导体制造的刻蚀腔体内，等离子体以每秒数千米乃至数万的速度轰击腔壁与零部件，喷淋头、腔体内衬、晶圆载盘……这些部位不仅要承受强腐蚀性气体的化学侵蚀，还要在剧烈的热冲击与电场环境中保持绝对的洁净与尺寸稳定。一旦有微粒脱落或微量杂质释放，整片晶圆便可能直接报废。在这样的极端环境下，高纯碳化硅陶瓷（纯度≥99.5%，半导体级达99.99%以上）凭借接近金刚石的硬度、优异的导热性、极致化学惰性、近理论密度且无开口气孔的特性，成为半导体设备当之无愧的 "骨骼材料"。

当前，半导体用SiC零部件的主要有两种：一是粉末烧结路线（SSiC/HPSiC），即通过高纯粉体在高温下致密化，能够兼顾复杂形状与成本，成为晶舟、载盘、机械臂等高温洁净传输件的核心材料。另一种则是化学气相沉积（CVD-SiC）路线，通过气态前驱体逐原子层生长，最终成型产品纯度可达99.9995%，具备零晶界、超高致密、强抗等离子体轰击的特性，是抗等离子体腐蚀的终极方案。以陶瓷喷淋头为代表的核心耗材往往就需采用该工艺生产，其质量，直接关系到晶圆刻蚀均匀性与良率水平。

CVD-SiC喷淋头（来源：兰溪泛翌精细陶瓷有限公司）

然而，CVD-SiC喷淋头的技术壁垒极大，从纯度≥99.99% 的半导体级粉体原料制备，到近理论密度、无开口气孔的致密化烧结， CVD 逐原子生长的精准控制，再到微孔精密加工，每一步都是工艺的深水区。长期以来，这类零部件市场被海外企业牢牢掌控。而随着国内半导体制程向先进节点持续推进，设备零部件国产化的需求日益迫切，其规模化制备与高精度加工能力，已成为半导体产业链上下游重点攻坚的核心方向之一。

值此产业关键节点，于6月25-26日在陕西・西安举办的CAC2026 全国先进陶瓷论坛暨半导体用陶瓷专题论坛特别邀请兰溪泛翌精细陶瓷有限公司创始人、总经理李华坚先生，带来主题报告《高纯碳化硅陶瓷及陶瓷喷淋头制备》。作为国内深耕精细陶瓷领域多年的技术型企业家，李华坚总经理将结合泛翌精瓷的一线量产实践，系统分享高纯碳化硅陶瓷材料的核心制备工艺、陶瓷喷淋头的精密加工技术，以及高纯碳化硅陶瓷在半导体领域的典型应用场景。报告将深度覆盖粉末烧结（SSiC/HPSiC）与化学气相沉积（CVD-SiC）两条技术路线的工艺特点、性能差异与适用场景，同时结合喷淋头这一核心部件，还原从材料到成品的完整技术链路。

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报告人介绍

李华坚，兰溪泛翌精细陶瓷有限公司创始人，研究生学历，从事陶瓷材料领域工作超过20年，累计获得专利超过20项，参与编制多项国家和行业标准。先后获评“国家先进核能技术创新协同中心”专家成员；四川省“天府峨眉计划”创业领军人才；河北省科技英才；河北省科技进步二等奖；上海大学“特聘兼职教授”等荣誉。

CAC先进陶瓷论坛会务组