江丰同芯总投5亿元无锡覆铜陶瓷基板项目首片产品顺利产出

发布时间 | 2026-05-19 10:04 分类 | 企业动态 点击量 | 5
氮化硅 氮化铝 氧化铝
导读:覆铜陶瓷基板长期依赖进口,无锡项目从2024年12月签约到2026年5月首片基板的下线,不仅是企业自身产能扩张的关键节点,更是中国半导体关键材料国产替代进程的重要里程碑。项目全面达产后,将有...

据中国江苏网日前报道,宁波江丰同芯半导体材料有限公司(江丰同芯)总投资5亿元,位于无锡智能制造园的,半导体芯片先进封装用覆铜陶瓷基板项目顺利产出首片产品,正式进入投产验证阶段,项目预计达产后将形成月产100万片(年产720万片)覆铜陶瓷基板的产能规模。

图片来源:中国江苏网

关于江丰同芯

江丰同芯专业从事功率半导体用覆铜陶瓷基板业务,是A股上市公司江丰电子的参股公司,产品主要服务于功率半导体模块化产业,广泛应用于5G通信、新能源、轨道交通、特高压、绿色电力等领域。江丰同芯拥有覆铜陶瓷基板行业深耕多年的技术专家团队,目前已搭建完成国内首条具备世界先进水平、自主化设计的第三代半导体功率器件模组核心材料制造生产线,掌握了覆铜陶瓷基板DBC(直接覆铜)及AMB(活性金属钎焊)生产工艺,宁波基地月均产量约16万片。

关于覆铜陶瓷基板项目

覆铜陶瓷基板是第三代半导体封测的核心材料,DBC工艺通过高温烧结将铜箔键合到陶瓷表面,工艺成熟度和性价比高,但存在铜与陶瓷之间热膨胀系数CET不匹配问题,主要适用氧化铝基板覆铜,用于LED照明、工业变频器、家电功率模块、中低功率IGBT;AMB工艺则通过活性金属钎焊实现冶金结合,界面强度更高,适合超高压大电流场景,适用于氮化硅氮化铝基板覆铜,用于新能源汽车主驱逆变器(800V SiC平台)、航空航天、超充桩等高压输变电、大功率IGBT模块。

小结

覆铜陶瓷基板长期依赖进口,无锡项目从2024年12月签约到2026年5月首片基板的下线,不仅是企业自身产能扩张的关键节点,更是中国半导体关键材料国产替代进程的重要里程碑。项目全面达产后,将有效缓解国内覆铜陶瓷基板长期依赖进口的局面,为国内半导体封装产业提供可靠的国产化材料方案,并将带动长三角集成电路产业链的协同发展。

 

粉体圈整理

作者:粉体圈

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