日立高新技术公司于2024年11月7日宣布，确认了东京大学开发的激光激发光电子显微镜（Laser-PEEM）的实用性，现已展开合作研究，计划将其用于半导体检测设备的实际应用。据悉，使用该设备可大幅缩短回路图案的检测流程，有助于提升良率。
Laser-PEEM工艺示意图（图片来源: 日立高科技，东京大学）
在先进的半导体器件中，使用极紫外光刻（EUV）技术形成纳米级的回路图案。在这一制造流程中，回路图案的三维加工精度以及局部材料特性的变化对器件性能有显著影响。因此，必须以高精度、高速方式对回路图案的形状等必要检测项目进行检测。
Laser-PEEM通过向目标区域照射激光，并利用相机捕捉从观察对象释放的电子，因此能够一次性获取大范围的高分辨率数据。相比传统的扫描电子显微镜（SEM），其图像分析速度更快。此外，东京大学开发的高分辨率技术还使其能够观察材料所具有的“潜像图案”等化学信息，并能非破坏性地观测纳米级的立体结构。
另外，Laser-PEEM可检测到约10～100纳米的深度，能够非破坏性地“透视”观察晶圆内部的缺陷，进一步确认了这一技术的可行性。由此，不良点的原因分析也能在不损坏样品的情况下进行。
粉体圈 Coco编译
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