之所以碳化硅成为第三代宽禁带半导体材料，因为其在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等方面展现出显著优势，也因为其在高温、高压、高频领域的优异表现。

超高纯、类球形3C-SiC微粉（来源：晶彩材料）

半导体案例

1、SiC具有约3.26 eV的宽带隙（相比于硅的1.12 eV）；约4.9 W/cm·K的热导率（相当于硅的3倍）；约3 MV/cm的击穿电场（约为硅的10倍），于是采用碳化硅衬底的射频（RF）放大器被用于5G基站、雷达、卫星通信系统，能够显著提升器件的功率密度、可靠性和高功率性能。

2、SiC基器件能够在超过600℃的环境中稳定工作，而硅基器件在超过150℃时性能会急剧下降；SiC相比硅具有优异的耐腐蚀性、高硬度和高强度，因此更适用于苛刻环境，于是采用碳化硅衬底的各类传感器在航空航天、汽车、能源和工业过程控制等领域具有广泛应用。

当然不止于半导体材料，碳化硅的其他高附加值应用还包括高端特种陶瓷、热界面材料等。具体如封装基板、晶圆抛光和高功率电子设备的散射器件，无一例外，这些应用对碳化硅原材料的要求极高，纯度、结晶质量和缺陷密度（如位错）等都会对晶圆或陶瓷的电学、热血和机械性能等造成影响。然而高纯碳化硅制备过程复杂且成本较高，全球范围围绕相关技术和产业化的努力还在持续加码，资本融入和技术升级推动下，超高纯碳化硅的应用前景将更加广阔。

即将在广州保利世贸博览馆2号馆举办的CAC广州先进陶瓷展的同期会议——“全国先进陶瓷与新能源产业创新发展论坛（6月14日）”上，绍兴晶彩科技有限公司总经理/创始人，哈工大的张磊博士将做题为“超高纯碳化硅粉体制备及在半导体、高端特种陶瓷、热界面材料领域应用”报告，重点介绍高纯碳化硅的结构特性、制备方法、产业化及其在碳化硅衬底、半导体陶瓷、高精密研磨以及热管理材料等诸多领域应用，并对相关技术发展进行了展望。

报告人简介

张磊，男，汉族，1980年生,哈尔滨工业大学博士，绍兴晶彩科技有限公司创始人。主要从事超高纯碳化硅粉体材料的研发与生产，在超高纯碳化硅粉体规模化量产与应用、第三代半导体材料产业化落地等领域具有十余年经验。在国际上率先开发了“无催化引发聚合技术制备高纯碳化硅粉源”关键技术研究，研发的新材料成功应用于半导体制程所需的高精密特种碳化硅陶瓷件、半导体功率器件、集成电路制造装备等领域，打破了原料被欧美公司垄断的危险局面，彻底解决了了半导体级碳化硅材料的卡脖子问题。 发表论文20余篇，申报发明专利三十余项，授权发明专利二十五项。曾获2014年“无锡市创新创业领军人才”称号、 2016年“江苏省创新创业领军 人才”称号，绍兴市柯桥区2024 年第二批“人才+”专项支持 计划人才等。

CAC广州先进陶瓷展