先进半导体制程中，多层布线结构要求每层表面绝对平整（划痕、残留颗粒会导致电路短路或断路）。CMP通过化学腐蚀与机械研磨的动态协同机制，实现晶圆表面纳米级甚至原子级平整（粗糙度 Ra < 0.1nm，全局平坦度GBIR误差 ≤10nm），是当前唯一能实现全局与局部平坦化的核心工艺，直接决定集成电路的良率和性能。

CMP是多材料协同作用的工艺过程，核心的精密磨料材料种类包括氧化硅、氧化铈、氧化铝、碳化硅等，这些磨料和助剂通过严格复合才能配制出适应不同应用场景的抛光液。众所周知，CMP对磨料要求极为严苛，包括超高的纯度，精准均匀的粒径分布，兼顾效率与表面质量的形貌设计，影响硬度的晶相，影响分散性的表面活性基团和电荷等。

武左佐博士，浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室博士后，合作导师为半导体领域著名科学家-中国科学院杨德仁院士。主要从事集成电路硅晶圆化学机械抛光（CMP）相关研究，以第一、通讯作者发表投寄 SCI 核心论文 15 余篇；申请国家发明专利 3 项；参与科技部重点研发项目 1 项（本单位排第 2）；获得国家级/省部级奖励 3 项。在定于2025年7月24-25日东莞喜来登大酒店举办的2025年全国精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛（第三届），她将作“集成电路硅晶圆CMP精密磨料技术”的主题报告，主要介绍精密磨料对硅晶圆抛光性能的影响及可控制备技术。精密磨料的典型参数有哪些，制备关键技术有哪些？对于想要进入CMP产业链条的企业来说，该报告是了解磨料开发难点和量产路径的系统性学习机会！

报告人简介

武左佐：中国旅德学者化学化工学会（GCCCD）会员，浙江省高性能硅材料装备全省重点实验室固定成员，浙江大学助理研究员，浙江大学上虞半导体材料研究中心副研究员。博士毕业于德国海德堡大学（University of Heidelberg），师从欧洲科学院院士 A. Stephen . K. Hashmi 教授。浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室博士后，合作导师半导体领域著名科学家-中国科学院杨德仁院士。

东莞抛光论坛会务组